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J-GLOBAL ID：201202202936065561   整理番号：12A1226457

放射状接合太陽電池の1回真空操作合成向けに触媒ビスマスをドーピングしたシリコンナノワイヤ

Bismuth-Catalyzed and Doped Silicon Nanowires for One-Pump-Down Fabrication of Radial Junction Solar Cells

著者 (8件)： YU Linwei (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  FORTUNA Franck (Univ. Paris-Sud, Orsay, FRA) ,  O’DONNELL Benedict (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  O’DONNELL Benedict (Total S.A., Courbevoie, FRA) ,  JEON Taewoo (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  FOLDYNA Martin (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  PICARDI Gennaro (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA) ,  I CABARROCAS Pere Roca (Ecole Polytechnique, Palaiseau, FRA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 8  ページ： 4153-4158  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,シリコンナノワイヤ(SiNW)のVLS(蒸気-液体-固体)成長を介在する触媒としてBiを調べ,c-SiNWコアへのBi触媒導入を利用し放射状n-i-p接合太陽電池構成に向け有効なn型ドーピングを同時に実現する初めての証拠を示した。SiNWは新世代放射状接合太陽電池開発で一般的選択肢になりつつある。単一チャンバプラズマ蒸着系における1回真空操作低温過程で,非晶質Si放射状n-i-p接合太陽電池を合成するためのVLSモードによるSiNWのBi触媒成長とドーピングを調べた。n型ドーパントとしてのBi触媒原子導入で生じたSiNW 2pへの触媒ドーピングを利用し,放射状接合太陽電池(記録開回路電圧V_oc=0.76Vと,短絡電流J_scを11.23mA/cm²まで増大させる増強光捕獲効果を持つ)を合成できる初めて証拠を示した。このBi触媒SiNW成長とドーピング戦略は,極端に有毒なホスフィンガス利用を免れ,放射状接合薄膜太陽電池構成に向け顕著な手順簡略化と費用低減を導いた。

シソーラス用語： VLS成長 ,  *太陽電池 ,  *放射状 ,  *接合 ,  *真空 ,  *金属触媒 ,  *ドーピング ,  プラズマCVD ,  電圧 ,  短絡電流 ,  光トラッピング ,  *ナノワイヤ
準シソーラス用語： *薄膜太陽電池 ,  *ビスマス触媒 ,  プラズマ蒸着 ,  開回路電圧 ,  光捕獲 ,  *シリコンナノワイヤ

分類 (4件)： 電池一般  (YB04010O) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  その他の触媒  (CB06123Z) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (7件)： 放射状 ,  太陽電池 ,  真空 ,  触媒 ,  ビスマス ,  ドーピング ,  シリコンナノワイヤ