文献

J-GLOBAL ID：201202202999918025   整理番号：12A1000678

3-アミノプロピルトリエトキシシラン(γ-APTES)修飾二酸化ケイ素(SiO₂)表面で培養した細胞に対する細胞-基質相互作用の時間発展

Evolvement of cell-substrate interaction over time for cells cultivated on a 3-aminopropyltriethoxysilane (γ-APTES) modified silicon dioxide (SiO₂) surface

著者 (6件)： HSU Chung-ping (Div. of Thoracic Surgery, Dep. of Surgery, Taichung Veterans General Hospital, Taichung, 40705, Taiwan, TWN) ,  HSU Chung-ping (School of Medicine, National Yang Ming Univ., Taipei, 11221, Taiwan, TWN) ,  HSU Po-yen (Dep. of Electrical Engineering, National Chi Nan Univ., Puli, Nantou, 54561, Taiwan, TWN) ,  WU You-lin (Dep. of Electrical Engineering, National Chi Nan Univ., Puli, Nantou, 54561, Taiwan, TWN) ,  HSU Wan-yun (Comprehensive Cancer Center, Taichung Veterans General Hospital, Taichung, 40705, Taiwan, TWN) ,  LIN Jing-jenn (Dep. of Applied Materials and Optoelectronic Engineering, National Chi Nan Univ., Puli, Nantou, 54561, Taiwan, TWN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 22  ページ： 8641-8648  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 細胞-基板相互作用は細胞の牽引力に直接関係しているから細胞特性は細胞を培養したソフトな基板表面にそれが残したインプリントから判定できる。ここでは,3-アミノプロピルトリエトキシシラン(γ-APTES)修飾二酸化けい素(SiO₂)表面で時間を変えて細胞を培養することにより,細胞-基質相互作用の時間展開を観察した。時間の関数としての細胞-基質相互作用特性を,原子間力顕微鏡(AFM)により調べたポスト-細胞除去表面モルフォロジープロファイルから見ることができた。異なった表面モルフォロジープロファイルが正常細胞とがん細胞の間で見られた。がん細胞はインプリントの周囲に沿って深いトレンチを形成する傾向にあるが,正常細胞はそうではなかった。さらに,我々の結果は,正常細胞はがん細胞とは違った細胞-基質相互作用メカニズムを含んでいることを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 二酸化ケイ素 ,  基質 ,  *細胞培養 ,  *腫瘍細胞 ,  形態 ,  表面構造 ,  相互作用 ,  *培地 ,  脂肪族アミン ,  有機ケイ素化合物 ,  第一アミン
準シソーラス用語： 表面モルフォロジー

分類 (2件)： 細胞・組織培養法  (EA03040R) ,  基礎腫よう学一般  (GE02010R)

物質索引 (1件)： 3-アミノプロピルトリエトキシシラン

タイトルに関連する用語 (9件)： 3-アミノプロピルトリエトキシシラン ,  修飾 ,  酸化ケイ素 ,  SiO2 ,  培養 ,  細胞 ,  基質 ,  相互作用 ,  発展