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J-GLOBAL ID:201202203141706999   整理番号:12A1578994

3d遷移金属ドープ(5,5)窒化ホウ素ナノチューブの電子構造と光学特性

Electronic structure and optical property of 3d transition metal doped (5,5) boron nitride nanotube
著者 (5件):
資料名:
巻: 109  号:ページ: 601-606  発行年: 2012年11月 
JST資料番号: D0256C  ISSN: 0947-8396  CODEN: APHYCC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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3d遷移金属M(M=V,Cr,Mn,Fe)ドープの(5,5)窒化ホウ素(B19MN20)ナノチューブの電子構造と磁性および光学特性を,第一原理PAWポテンシャル密度汎関数理論内で一般化勾配近似を用いることにより調べた。B19VN20とB19MnN20系が理想的なスピントロニクス応用の候補であり,B19CrN20系が有望な希釈磁性半導体らしいことが見出された。光学的誘電関数の解析は,B19CrN20が約0.3eVのところに新しい主ピークを呈し,それ故,赤外検出器,赤外メーザー,等のような赤外技術に関連する分野に利用可能であることを示した。Copyright 2012 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
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半導体結晶の電子構造  ,  その他の無機化合物の磁性  ,  光物性一般 

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