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J-GLOBAL ID：201202203178481610   整理番号：12A0237305

単結晶シリコン薄膜の破壊靱性値-低温環境における温度依存性

著者 (3件)： 安藤妙子 (立命館大) ,  侘美貴文 (名古屋大) ,  佐藤一雄 (名古屋大)
資料名： 日本機械学会マイクロ・ナノ工学シンポジウム講演論文集
巻： 2nd  ページ： 143-144  発行年： 2010年10月12日 
JST資料番号： L8358A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,厚さ1μm程度の単結晶シリコン薄膜の破壊靱性試験を行った。低温環境で試験を実施するために,液体窒素による冷却機構を持った試験装置を開発し,室温から-100°Cの温度で破壊靱性値を測定したところ,-20°Cから-50°Cの間で大きく変化した。破面観察を行った結果,-50°Cと-20°Cでは異なる破面が得られ,破壊形式が変化していることが明らかとなった。(著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  *半導体薄膜 ,  *破壊靱性 ,  *破壊靱性試験 ,  温度依存性 ,  環境
準シソーラス用語： *単結晶シリコン ,  低温環境

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  その他の材料  (HC04050S) ,  その他の材料の試験  (HB05000T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 単結晶 ,  シリコン薄膜 ,  破壊靱性値 ,  低温環境 ,  温度依存性