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J-GLOBAL ID：201202203472839433   整理番号：12A1053048

進行波法によるSi中Sb不純物の励起状態測定

Measurement of excited states of Sb impurity in Si by traveling-wave method

著者 (4件)： SUN Yong (Dep. of Applied Sci. for Integrated System Engineering, Kyushu Inst. of Technol., 1-1 Sensui-machi, Tobata ...) ,  TAKASE Tsuyoshi (Dep. of Applied Sci. for Integrated System Engineering, Kyushu Inst. of Technol., 1-1 Sensui-machi, Tobata ...) ,  SAKAINO Masamichi (Dep. of Applied Sci. for Integrated System Engineering, Kyushu Inst. of Technol., 1-1 Sensui-machi, Tobata ...) ,  MIYASATO Tatsuro (Dep. of Applied Sci. for Integrated System Engineering, Kyushu Inst. of Technol., 1-1 Sensui-machi, Tobata ...)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 1  ページ： 013709-013709-8  発行年： 2012年07月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si中のSb原子の基底状態と励起状態,すなわち1s(A₁),1s(T₂),1s(E)及び2p⁰を,進行波法を用いて測定した。2×10¹⁵cm^-3のドナー濃度を有するSbドープSi結晶を,弾性表面波のフリンジフィールド中で圧電結晶上5μmの位置に置いた。Sb原子の束縛状態から励起された自由電子は進行波によってドリフトし,その結果,格子とイオンとの散乱過程を介してジュール熱としてエネルギーを失う。強い温度依存性のある進行波のエネルギー損失が,200K以下の温度で観察できる。Sb原子の束縛状態の値は,束縛状態での電子熱活性化プロセスのArrheniusプロットを用いて特徴付けることができる。50MHz及び200MHzという進行波の2つの周波数で測定は行われた。50MHzの周波数ではSi結晶の誘電特性はドーパント分極に,200MHzでは電子分極によって支配される。束縛状態の測定精度は主に電子移動度とSi結晶の誘電率に依存し,Si結晶の電子分極特性と同様に進行波の周波数と強さに敏感であることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *進行波 ,  *ケイ素 ,  *アンチモン ,  *不純物 ,  *励起状態 ,  *計測 ,  基底状態 ,  ドナー ,  弾性表面波 ,  静電場 ,  圧電体 ,  エネルギー損失 ,  図化 ,  キャリア移動度 ,  誘電率
準シソーラス用語： Arrheniusプロット ,  フリンジフィールド ,  *測定 ,  電子移動度

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 進行波 ,  Si ,  Sb ,  不純物 ,  励起状態