文献

J-GLOBAL ID：201202203635200397   整理番号：12A0809869

分子線エピタキシーによって成長した閃亜鉛鉱型とウルツ鉱型のAl_xGa_1-xNバルク結晶

Zinc-blende and wurtzite Al _x Ga_1-x N bulk crystals grown by molecular beam epitaxy

著者 (7件)： NOVIKOV S.v. (School of Physics and Astronomy, Univ. of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, GBR) ,  STADDON C.r. (School of Physics and Astronomy, Univ. of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, GBR) ,  LUCKERT F. (Dep. of Physics, SUPA, Univ. of Strathclyde, Glasgow, G4 0NG, GBR) ,  EDWARDS P.r. (Dep. of Physics, SUPA, Univ. of Strathclyde, Glasgow, G4 0NG, GBR) ,  MARTIN R.w. (Dep. of Physics, SUPA, Univ. of Strathclyde, Glasgow, G4 0NG, GBR) ,  KENT A.j. (School of Physics and Astronomy, Univ. of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, GBR) ,  FOXON C.t. (School of Physics and Astronomy, Univ. of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, GBR)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 350  号： 1  ページ： 80-84  発行年： 2012年07月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNとAlNの格子パラメータに著しい開きがあるが,多くのデバイス用途向けに,Al_xGa_1-xN基板は,GaN,あるいは,AlNよりも望ましい。プラズマ支援分子線エピタキシー(PA-MBE)による閃亜鉛鉱型とウルツ鉱型のAl_xGa_1-xNバルク自立結晶の成長について研究した。厚い(約10μm)閃亜鉛鉱型とウルツ鉱型のAl_xGa_1-xN膜を,2インチGaAs(001)基板とGaAs(111)B基板上に,それぞれ,PA-MBEで成長させ,成長後に,GaAs基板から取り出した。閃亜鉛鉱型とウルツ鉱型のAl_xGa_1-xN自立ウェーハが,広範囲にわたるAl組成でPA-MBEによって実現できることを実証した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MBE成長 ,  *閃亜鉛鉱型結晶 ,  *ウルツ鉱型結晶 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *化合物半導体 ,  *厚膜 ,  基板 ,  ヒ化ガリウム
準シソーラス用語： *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分子線エピタキシー ,  成長 ,  閃亜鉛鉱 ,  ウルツ鉱 ,  バルク結晶