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J-GLOBAL ID：201202203720780270   整理番号：12A0747087

花弁様h-WO₃薄膜の新しいマイクロ波支援ゾルゲル合成(MW-SGS)およびエレクトロクロミック性能

Novel microwave assisted sol-gel synthesis (MW-SGS) and electrochromic performance of petal like h-WO₃ thin films

著者 (4件)： KHARADE Rohini R. (Materials Res. Lab., Dep. of Chemistry, Shivaji Univ., Kolhapur 416004, IND) ,  PATIL K.r. (Centre for Materials Characterization, National Chemical Lab., Pune, MH, IND) ,  PATIL P.s. (Thin Film Lab., Dep. of Physics, Shivaji Univ., Kolhapur 416004, IND) ,  BHOSALE P.n. (Materials Res. Lab., Dep. of Chemistry, Shivaji Univ., Kolhapur 416004, IND)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 47  号： 7  ページ： 1787-1793  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自作のマイクロ波オーブンを使用することは,ナノ結晶性六方晶WO₃(h-WO₃)薄膜の化学的検出への採用としては初めてである。タングステン酸ナトリウム,塩酸,シュウ酸および硫酸カリウムのような低価格の前駆体は,この薄膜製造ルートの費用有効性に重要である。走査電子顕微鏡画像により,花弁様ナノディスクが形成されることを明らかにした。X線回折(XRD),エネルギー分散X線分光法(EDX),X線光電子分光法,FTIR分光法,Raman散乱分光法,紫外可視分光法およびサイクリックボルタンメトリー(CV)を含む多くの分析手法を用いて,このWO₃花弁様ナノディスクをキャラクタライズした。X線光電子分光研究によって,2.89 O/Wの原子比を明らかにした。WO₃薄膜に関する電気輸送研究により,n型半導体の半導体挙動を示した。測定された着色効率の値は57.90cm²/Cである。この強化されたエレクトロクロミズムに関して,h-WO₃マトリックス中のLi⁺挿入および脱挿入の機構を提案した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化タングステン ,  *薄膜 ,  *化学合成 ,  *ゾル-ゲル法 ,  光学材料 ,  電子レンジ ,  ナノ結晶 ,  六方晶系 ,  タングステン酸塩 ,  ナトリウム化合物 ,  塩酸 ,  硫酸カリウム ,  前駆体 ,  走査電子顕微鏡 ,  ナノ構造 ,  記憶媒体 ,  X線回折 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  X線光電子分光法 ,  FTIR分光法 ,  Raman散乱 ,  紫外可視吸収スペクトル ,  サイクリックボルタンメトリー ,  比率 ,  エレクトロトランスポート ,  N型半導体 ,  *エレクトロクロミズム ,  挿入 ,  脂肪族カルボン酸 ,  ジカルボン酸
準シソーラス用語： *三酸化タングステン ,  *マイクロ波支援合成 ,  *ゾル-ゲル合成 ,  エレクトロクロミック材料 ,  マイクロ波オーブン ,  六方晶 ,  タングステン酸ナトリウム ,  ナノディスク ,  エネルギー分散X線分光法 ,  原子比 ,  電気輸送 ,  リチウム挿入

分類 (1件)： 物理化学一般その他  (CB01030T)

物質索引 (1件)： シュウ酸

タイトルに関連する用語 (5件)： 花弁 ,  薄膜 ,  マイクロ波 ,  支援 ,  ゾルゲル合成