文献
J-GLOBAL ID:201202203783207295   整理番号:12A1772780

原子層堆積材料のサイクルごとのin situ瞬間焼きなまし

In Situ Cycle-by-Cycle Flash Annealing of Atomic Layer Deposited Materials
著者 (7件):
資料名:
巻: 116  号: 45  ページ: 24177-24183  発行年: 2012年11月15日 
JST資料番号: W1877A  ISSN: 1932-7447  CODEN: JPCCCK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
閃光ランプを組み込んだ原子層堆積(ALD)装置を用いて,TiO2およびPbS量子ドット薄膜を合成した。1回のALDサイクルに閃光ランプによる短時間の加熱プロセス(FLA)を導入することで,通常は無定形のTiO2が生成するTDMAT/H2Oから,結晶性のTiO2を生成させるのに成功した。Pb(tmhd)2/H2SによるPbS量子ドットの合成では,FLAの条件(照射時間,照射回数,冷却時間)によって,量子ドットの粒径,形態および粒径分布を調節することができた。生成物は透過型電子顕微鏡でキャラクタライズした。ここで,TMDATはテトラキス(ジメチルアミド)チタン(IV)を,Htmhdは2,2,6,6-テトラメチル-3,5-ヘプタンジオンを表す。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
薄膜成長技術・装置 
物質索引 (1件):
物質索引
文献のテーマを表す化学物質のキーワードです
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る