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J-GLOBAL ID：201202203824610725   整理番号：12A1763671

透過型走査電子顕微鏡で調べたSi上に成長させたGaSb中の分極反転の原子分解能研究

Atomic-resolution study of polarity reversal in GaSb grown on Si by scanning transmission electron microscopy

著者 (6件)： HOSSEINI VAJARGAH S. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, McMaster Univ., Hamilton, Ontario L8S 4L7, CAN) ,  WOO S. Y. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, McMaster Univ., Hamilton, Ontario L8S 4L7, CAN) ,  GHANAD-TAVAKOLI S. (Centre for Emerging Device Technologies, McMaster Univ., Hamilton, Ontario L8S 4L7, CAN) ,  KLEIMAN R. N. (Brockhouse Inst. for Material Res., McMaster Univ., Hamilton, Ontario L8S 4M1, CAN) ,  PRESTON J. S. (Brockhouse Inst. for Material Res., McMaster Univ., Hamilton, Ontario L8S 4M1, CAN) ,  BOTTON G. A. (Dep. of Materials Sci. and Engineering, McMaster Univ., Hamilton, Ontario L8S 4L7, CAN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 9  ページ： 093101-093101-9  発行年： 2012年11月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高角度環状暗視野透過型走査電子顕微鏡(HAADF-STEM)により,Si上に成長させたGaSb膜の逆位相境界(APB)を横切って原子分解分極反転を観測した。APBの出発点での界面構造を調べることで,GaプレレイヤとSbプレレイヤを持つ二つの分域の融合が部分格子反転の原因となることが明らかになった。APBの局所歪と格子回転分布はAPBにおける周囲のGaSb格子とのAPBの場所での不揃いの結合長に原因があり,幾何学的位相解析技術によりさらに調べた。APBの結晶学的特性とその他の面欠陥との相互作用をHAADF-STEMで観測した。実験結果とシミュレーションの定性的な一致およびシミュレートした像が得たHAADF-STEMデータで観測した分極を確認した。APBの自己消滅機構は,アンチサイト結合が誘起した回転とAPBファセットに基づいて取り組んだ。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *透過型走査電子顕微鏡 ,  *ケイ素 ,  *アンチモン化ガリウム ,  *分極反転 ,  *分解能 ,  *逆位相境界 ,  *分域 ,  融合 ,  格子欠陥 ,  ファセット ,  格子歪 ,  副格子 ,  化合物半導体 ,  回転 ,  核間距離
準シソーラス用語： HAADF-STEM ,  アンチサイト欠陥 ,  格子回転 ,  局所歪 ,  結合長 ,  原子分解能 ,  部分格子

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  格子欠陥の観察・実験技術  (BK12020U)

タイトルに関連する用語 (7件)： 透過型走査電子顕微鏡 ,  Si ,  成長 ,  GaSb ,  分極反転 ,  原子分解能 ,  研究