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J-GLOBAL ID：201202203965595967   整理番号：12A0876427

シリコン,炭素,および窒素ブリッジを有するジチエノカルバゾールをベースとしたラダ-型ヘプタサイクリックアレーン 合成,分子特性,電界効果トランジスターおよび太陽電池応用

Dithienocarbazole-Based Ladder-Type Heptacyclic Arenes with Silicon, Carbon, and Nitrogen Bridges: Synthesis, Molecular Properties, Field-Effect Transistors, and Photovoltaic Applications

著者 (6件)： WU Jhong-Sian (National Chiao Tung Univ., Hsin-Chu, TWN) ,  CHENG Yen-Ju (National Chiao Tung Univ., Hsin-Chu, TWN) ,  LIN Tai-Yen (National Chiao Tung Univ., Hsin-Chu, TWN) ,  CHANG Chih-Yu (National Chiao Tung Univ., Hsin-Chu, TWN) ,  SHIH Peng-I. (National Chiao Tung Univ., Hsin-Chu, TWN) ,  HSU Chain-Shu (National Chiao Tung Univ., Hsin-Chu, TWN)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 22  号： 8  ページ： 1711-1722  発行年： 2012年04月24日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型高分子半導体材料として,シリコン,炭素および窒素ブリッジを持つジチエノカルバゾールをベースとしたラダ-型ヘプタサイクリックアレーンを合成した。また,電界効果トランジスター(FET)および太陽電池を作製してデバイス特性を評価した。作製したDTSC,DTPC,DTCC,PDTSCBT,PDTPCBTおよびPDTCCBTについてサイクリックボルタムメトリー,吸収スペクトル,発光スペクトルの測定と共に理論計算によりHOMOおよびLUMO等の評価を行った。PDTSCBTおよびPDTCCBTを用いて作製したFETの正孔移動度として,それぞれ0.073および0.110cm²V^-1s^-1が得られた。また,PDTSCBTを用いて作製したバルクヘテロ接合太陽電池は,5.2%の効率と0.82Vの開放電圧を示した。

シソーラス用語： *有機半導体 ,  *高分子半導体 ,  はしご状重合体 ,  化学合成 ,  電気化学的挙動 ,  サイクリックボルタンメトリー ,  *FET【トランジスタ】 ,  *太陽電池 ,  計算化学 ,  バンド構造 ,  移動度 ,  分子構造

分類 (2件)： 有機化合物の電気伝導  (BM03045F) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (3件)： 4,4,4′,4′-テトラオクチル-7,7′-(1-オクチルノニルイミノ)-6,6′-ビ[4H-インデノ[1,2-b]チオフェン] ,  8,8,8′,8′-テトラオクチル-5,5′-(エチルイミノ)-6,6′-ビ[8H-3-チア-8-シラシクロペンタ[a]インデン] ,  4,4′-ジエチル-7,7′-(1-オクチルノニルイミノ)-6,6′-ビ[4H-チエノ[3,2-b]インドール]

タイトルに関連する用語 (9件)： シリコン ,  炭素 ,  窒素 ,  ブリッジ ,  型 ,  分子特性 ,  電界効果トランジスター ,  太陽電池 ,  応用