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J-GLOBAL ID：201202203975635169   整理番号：11A1987145

基板上の超薄膜からの低エネルギー電子後方散乱のM-Cシミュレーション

M-C simulation of low energy electron backscattering from ultra-thin film on a substrate

著者 (4件)： Zhuo Jun (Northwest Inst. of Nuclear Technol., Xi’an) ,  Niu Shengli (Northwest Inst. of Nuclear Technol., Xi’an) ,  Zhu Jinhui (Northwest Inst. of Nuclear Technol., Xi’an) ,  Huang Liuxing (Northwest Inst. of Nuclear Technol., Xi’an)
資料名： He Jishu  (He Jishu)
巻： 33  号： 11  ページ： 828-831  発行年： 2010年 
JST資料番号： C2034A  ISSN： 0253-3219  CODEN： NUTEDL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 基板上の超極薄膜に影響する低エネルギー電子ビームの後方散乱係数をモンテカルロコードでシミュレーションした。単一電子の全相互作用を経過順序でシミュレーションした。膜厚Dに対する後方散乱係数(r)の依存性を計算し解析した。線形領域では,その傾斜Cが最大値に到達するまで立ち上がることが分かった。一方,極薄膜に影響する電子のエネルギーが減少した。これは,超薄膜測定での入射電子エネルギーの選択の参考になる。

シソーラス用語： 電子ビーム ,  *後方散乱 ,  *電子散乱 ,  シミュレーション ,  *超薄膜 ,  相互作用 ,  膜厚
準シソーラス用語： モンテカルロシミュレーション ,  散乱係数 ,  低エネルギー

分類 (1件)： 電子と分子の衝突・散乱  (BH07030A)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  低エネルギー ,  電子後方散乱 ,  シミュレーション