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J-GLOBAL ID：201202204142320527   整理番号：12A0583144

中性子照射時のSiCにおけるグラファイト様凝集体の窒素促進形成

Nitrogen-promoted formation of graphite-like aggregations in SiC during neutron irradiation

著者 (4件)： WANG P. F. (Dep. of Applied Physics, School of Sci., Tianjin Univ., Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  RUAN Y. F. (Dep. of Applied Physics, School of Sci., Tianjin Univ., Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  HUANG L. (Dep. of Applied Physics, School of Sci., Tianjin Univ., Tianjin 300072, People’s Republic of China) ,  ZHU W. (Dep. of Applied Physics, School of Sci., Tianjin Univ., Tianjin 300072, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 6  ページ： 063517-063517-4  発行年： 2012年03月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2水準のフルエンスで中性子を照射したアンドープ及び窒素ドープSiCバルク結晶を共焦点マイクロRaman分光により評価し,照射損傷に対する窒素不純物の影響を調べた。その結果,高フルエンスの中性子照射では窒素不純物は炭素原子のグラファイトへの偏析を促進することが分かった。これはグラファイトに特有のD及びGバンドの存在により明かである。さらに,実験結果から,グラファイト様凝集物はSiC中に均一に分布し,その熱安定性は結晶質グラファイトよりかなり劣ることが分かった。中性子照射時の核形成(すなわち,窒素原子により誘起される安定なsp² C=C配位の形成)と成長によりグラファイト様凝集体の形成が説明できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  ドーピング ,  窒素 ,  *中性子照射 ,  中性子フルエンス ,  Ramanスペクトル ,  *凝集体 ,  グラファイト ,  熱安定性 ,  偏析 ,  炭素

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 中性子照射 ,  SiC ,  グラファイト ,  凝集体 ,  窒素 ,  促進