文献

J-GLOBAL ID：201202204235217580   整理番号：12A0809600

幾つかの新たに合成したインドリジン誘導体薄膜のd.c.電気伝導機構

d.c. electric conduction mechanism of some newly synthesized indolizine derivatives in thin films

著者 (4件)： DANAC R. (Fac. of Chemistry, Alexandru Ioan Cuza Univ. of Iasi, B-dul Carol I, Nr. 11, 700506 Iasi, ROM) ,  LEONTIE L. (Fac. of Physics, Alexandru Ioan Cuza Univ. of Iasi, B-dul Carol I, Nr. 11, 700506 Iasi, ROM) ,  CARLESCU A. (Fac. of Physics, Alexandru Ioan Cuza Univ. of Iasi, B-dul Carol I, Nr. 11, 700506 Iasi, ROM) ,  RUSU G.i. (Fac. of Physics, Alexandru Ioan Cuza Univ. of Iasi, B-dul Carol I, Nr. 11, 700506 Iasi, ROM)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 134  号： 2-3  ページ： 1042-1048  発行年： 2012年06月15日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 幾つかの最近合成したインドリジン誘導体の温度依存性d.c.電気伝導率を研究した。クロロホルム溶液からガラス基板へスピンコーティングした薄膜サンプル(d=0.10~0.30μm)を用いた。温度範囲301~493Kの熱処理へ調製時サンプルを委ね,再現性電気特性を持つ有機膜が得られた。研究した多結晶化合物は典型的なn型半導体挙動を示した。電気伝導の活性化エネルギーは3.32~1.07Vだった。本有機化合物の半導体特性と分子濃度間の幾つかの相関を検討した。より高い温度範囲(T>415K)では,バンドギャップ表現モデルの面から,本化合物の電子輸送を解釈する一方,より低い温度範囲(T<339K)では,Mott可変領域ホッピング伝導モデルが適すると分った。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *窒素複素環化合物 ,  溶液 ,  スピンコーティング ,  基板 ,  電気装置部品 ,  温度依存性 ,  *電気伝導率 ,  熱処理 ,  電気特性 ,  再現性 ,  *薄膜 ,  多結晶 ,  N型半導体 ,  活性化エネルギー ,  濃度 ,  相関 ,  バンドギャップ ,  エレクトロトランスポート ,  *Mott転移 ,  *ホッピング伝導 ,  脂肪族塩素化合物 ,  トリハロメタン
準シソーラス用語： *インドリジン誘導体 ,  ガラス基板 ,  *可変領域ホッピング伝導 ,  電子輸送

分類 (3件)： ピリジンのその他の縮合誘導体  (CF07097Y) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  有機化合物の電気伝導  (BM03045F)

物質索引 (6件)： クロロホルム ,  3-ベンゾイル-7-(4-ピリジル)インドリジン-1-カルボン酸エチル ,  3-(4-メトキシベンゾイル)-7-(4-ピリジル)インドリジン-1-カルボン酸エチル ,  3-(4-メチルベンゾイル)-7-(4-ピリジル)インドリジン-1-カルボン酸エチル ,  3-(4-クロロベンゾイル)-7-(4-ピリジル)インドリジン-1-カルボン酸エチル ,  3-(4-ブロモベンゾイル)-7-(4-ピリジル)インドリジン-1-カルボン酸エチル

タイトルに関連する用語 (3件)： インドリジン誘導体 ,  薄膜 ,  電気伝導