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J-GLOBAL ID：201202204371652657   整理番号：12A0811002

電子線蒸着したZnSe_1-xTe_xナノ結晶性薄膜の微細構造と光学的研究

Microstructure and optical studies of electron beam evaporated ZnSe_1-x Te _x nanocrystalline thin films

著者 (6件)： EMAM-ISMAIL M. (Physics Dep., Collage of Sci., Qassim Univ., P.O. 6644, 51452 Buryadh, Saudi Arabia) ,  EMAM-ISMAIL M. (Physics Dep., Fac. of Sci., Ain Shams Univ., 11566 Cairo, Egypt) ,  EL-HAGARY M. (Physics Dep., Collage of Sci., Qassim Univ., P.O. 6644, 51452 Buryadh, Saudi Arabia) ,  EL-HAGARY M. (Physics Dep., Fac. of Sci., Helwan Univ., Helwan, 11792 Cairo, Egypt) ,  SHAABAN E.r. (Physics Dep., Fac. of Sci., Al-Azhar Univ., 71452 Assuit, Egypt) ,  AL-HEDEIB A.m. (Physics Dep., Collage of Sci. and Arts, Qassim Univ., Buryadh, Saudi Arabia)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 532  ページ： 16-24  発行年： 2012年08月15日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ZnSe_1-xTe_x(0.0≦x≦1.0)ナノ結晶性薄膜を電子線蒸着によりガラス基板に蒸着した。作製した膜の構造をX線回折と光学的研究で調べた結果,xが0から1へ増加すると格子定数aは0.55816から0.59989へ直線的に増加し,屈折率は増加し,バンドギャップは2.58から2.21へ減少した。更に,組成によるバンドギャップの変化は湾曲パラメータ=0.105の2次的挙動を示した。更に,蒸着した膜の構造と光学的性質への厚さと熱処理による影響についても調べた。屈折率分散と組成への依存性もWemple-Didomenicoが提案した単一の振動子モデルで考察した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *テルル化物 ,  *亜鉛化合物 ,  *セレン化合物 ,  ナノ結晶 ,  *半導体薄膜 ,  *電子ビーム蒸着 ,  *微細構造 ,  *光学的性質 ,  結晶構造 ,  格子定数 ,  屈折率 ,  バンドギャップ ,  振動子 ,  モデル ,  化合物半導体
準シソーラス用語： 電子線蒸着 ,  II-VI化合物半導体

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子線蒸着 ,  ナノ結晶 ,  薄膜 ,  微細構造 ,  光学 ,  研究