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J-GLOBAL ID：201202204406651667   整理番号：12A0562130

原子テクノロジーの源流 第2章 基板結晶の真空中劈開法によるエピタクシー研究-従来の汚染表面の問題を一挙に解決-

著者 (1件)： 井野正三
資料名： 金属  (Materials Science & Technology)
巻： 82  号： 4  ページ： 327-336  発行年： 2012年04月01日 
JST資料番号： F0157A  ISSN： 0368-6337  CODEN： KNZKA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 基板の結晶面の原子配列を基にその上に形成する薄膜の結晶方向を制御するエピタキシャル成長をベースに原子テクノロジーの解説をシリーズで実施している。本稿では,著者の研究経験の基づいた基板結晶の真空中劈開法によるエピタクシー研究について示した。初めに,エピタクシー研究を行なう上での清浄表面の必要性および基板結晶の真空中劈開装置の作製(著者の研究の経緯)を述べた後,真空劈開装置によるNaCl上の種々金属の実験について示した。ここでは,エピタクシーの完全度の定義,その温度依存性,実験結果について記した。さらに,これらの実験結果の考察について示した。

シソーラス用語： *エピタクシー ,  *劈開【結晶】 ,  汚染
準シソーラス用語： 表面汚染

分類 (1件)： 薄膜一般  (BK14010X)

タイトルに関連する用語 (8件)： 原子 ,  テクノロジー ,  源流 ,  結晶 ,  劈開 ,  エピタクシー ,  研究 ,  汚染