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J-GLOBAL ID：201202204523339631   整理番号：12A0693738

超広帯域パルス無線システム用のRCゲート終端回路を有するDC~10.5GHz相補型金属酸化膜半導体分布増幅器

DC~10.5GHz complimentary metal oxide semiconductor distributed amplifier with RC gate terminal network for ultra-wideband pulse radio systems

著者 (2件)： CHANG J.-F. (National Chi Nan Univ., Puli, TWN) ,  LIN Y.-S. (National Chi Nan Univ., Puli, TWN)
資料名： IET Microwaves, Antennas & Propagation  (IET Microwaves, Antennas & Propagation)
巻： 6  号： 2  ページ： 127-134  発行年： 2012年01月31日 
JST資料番号： C0988C  ISSN： 1751-8725  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 従来のCMOS分布増幅器においては,超広帯域にわたり利得,電力消費,雑音指数を満足することが出来なかった。超広帯域パルス無線システム用に,平坦かつ低い雑音指数,平坦かつ高い電力利得,および群遅延変動が小さいDC~10.5GHz CMOS分布増幅器について述べた。標準的0.18μm CMOS技術を用いた。平坦かつ低い雑音指数はここで提案する抵抗-キャパシタ(RC)終端回路により実現した。この回路は所要帯域にわたりゲート伝送線路に対して140Ωの終端抵抗となる。さらに,平坦かつ高い電力利得は,増幅セルとしてカスコードトランジスタを用いて達成した。DC~10.5GHzにわたり,本増幅器の消費電力は29.16mW,電力利得は10.5±1.4dB,雑音指数は3.2±0.3dB,群遅延変動は±13.8psと優れた位相直線性を示した。

シソーラス用語： *分布増幅器 ,  *半導体 ,  *広帯域 ,  *通信方式 ,  成端 ,  雑音指数 ,  利得 ,  群遅延特性 ,  周波数特性 ,  RC回路 ,  特性インピーダンス ,  *ゲート回路 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 終端 ,  *超広帯域インパルス無線 ,  電力利得

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (8件)： 広帯域 ,  パルス ,  無線システム ,  RC ,  ゲート ,  終端回路 ,  相補型金属酸化膜半導体 ,  分布増幅器