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J-GLOBAL ID：201202204583282078   整理番号：12A0778555

水酸化物ベースの析出過程によるCuInSe₂薄膜の合成

Synthesis of CuInSe₂ thin film by a hydroxides-based deposition process

著者 (5件)： CHEN Guilin (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Sci. and Technol. ...) ,  LIU Weifeng (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Sci. and Technol. ...) ,  JIANG Guoshun (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Sci. and Technol. ...) ,  LI Ji (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Sci. and Technol. ...) ,  ZHU Changfei (CAS Key Lab. of Materials for Energy Conversion, Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Sci. and Technol. ...)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 531  ページ： 91-95  発行年： 2012年08月05日 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素還元をしない,前焼鈍したCu-In水酸化物前駆体のセレン化で,In₂O₃を含まないCuInSe₂薄膜を作製した。CuとInの前駆体の混合水酸化物を共沈法で合成した。滴下流延成形法で,ソーダ石灰ガラス基材に,このCu-In水酸化物と有機結合剤を含むインクを析出した。被覆後に,前駆体膜をアルゴン気流中で前焼鈍し,続いてセレン化した。単相CIS膜の作製への,前焼鈍温度の影響を調査して,単相のCIS膜が得られるようにした。X線回折(XRD),走査電子顕微鏡(SEM),エネルギー分散方式X線分光(EDS)によって,In₂O₃を含まない黄銅鉱構造のCISフィルムが得られたことが判明した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *セレン化インジウム銅 ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  *共沈 ,  インジウム化合物 ,  硝酸塩 ,  銅化合物 ,  水酸化ナトリウム ,  前駆体 ,  エチルセルロース ,  ポリビニルピロリドン ,  精油 ,  インク ,  基板 ,  ガラス ,  落下 ,  *流延成形 ,  熱処理 ,  化学反応 ,  脂環式化合物 ,  オレフィン化合物 ,  不飽和アルコール ,  単環モノテルペン
準シソーラス用語： *CIS薄膜太陽電池 ,  硝酸インジウム ,  硝酸銅 ,  滴下 ,  *セレン化反応

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

物質索引 (1件)： テルピネオール350

タイトルに関連する用語 (4件)： 水酸化物 ,  析出 ,  過程 ,  薄膜