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J-GLOBAL ID：201202204600174861   整理番号：12A1067277

異なるV/III比で成長したタイプII GaSb/GaAs量子ドットの成長後アニーリング

Post-growth annealing of type-II GaSb/GaAs quantum dots grown with different V/III ratios

著者 (8件)： POLOJAERVI Ville (Optoelectronics Res. Centre, Tampere Univ. of Technol., FIN-33101 Tampere, FIN) ,  GUBANOV Alexander (Optoelectronics Res. Centre, Tampere Univ. of Technol., FIN-33101 Tampere, FIN) ,  SCHRAMM Andreas (Optoelectronics Res. Centre, Tampere Univ. of Technol., FIN-33101 Tampere, FIN) ,  KOSKINEN Riku (Optoelectronics Res. Centre, Tampere Univ. of Technol., FIN-33101 Tampere, FIN) ,  PAAJASTE Jonna (Optoelectronics Res. Centre, Tampere Univ. of Technol., FIN-33101 Tampere, FIN) ,  SALMI Joel (Optoelectronics Res. Centre, Tampere Univ. of Technol., FIN-33101 Tampere, FIN) ,  SUOMALAINEN Soile (Optoelectronics Res. Centre, Tampere Univ. of Technol., FIN-33101 Tampere, FIN) ,  GUINA Mircea (Optoelectronics Res. Centre, Tampere Univ. of Technol., FIN-33101 Tampere, FIN)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 177  号： 13  ページ： 1103-1107  発行年： 2012年08月01日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子線エピタクシーによりGaAs(100)上に成長したGaSb量子ドットの光ルミネセンス(PL)に,V/IIIビーム等価圧力比および成長後アニールが及ぼす影響について報告する。V/III比を3,5,7と上げていくと,PL強度は低下し,PL波長は赤方偏移した。成長後アニールはPLを青方偏移させた。アニール温度が800°Cを超すと,PLピークのFWHMは減少した。青方偏移はV/III比に依存しなかった。これは,量子ドットの性質によらず,全ての試料において原子の相互拡散機構が同じであることを示している。3つの試料とも,適度な温度(750~800°C)でアニールするとPL強度は増大した。V/III比が最大(7)の試料ではPL強度は温度とともに更に増大したが,V/III比の小さい(3と5)試料では,アニール温度が900°Cを超えるとPL強度は再び低下した。さらに,V/III比が3と7の,成長したままと,870でアニールした試料について,PL強度の温度およびパワー依存性を測定し,弱くなった量子ドット閉じ込めをより詳細に調べた。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アンチモン化ガリウム ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *量子ドット ,  MBE成長 ,  比率 ,  圧力効果 ,  焼なまし ,  温度依存性 ,  *光ルミネセンス ,  赤外発光スペクトル ,  放射強度 ,  スペクトル線幅 ,  スペクトルシフト
準シソーラス用語： 圧力比 ,  発光強度

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (6件)： 成長 ,  タイプ ,  GaSb ,  GaAs ,  量子ドット ,  アニーリング