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J-GLOBAL ID：201202204659080550   整理番号：12A0636816

シャロートレンチアイソレーション(STI)構造におけるInPのin situ HClエッチング

In Situ HCl Etching of InP in Shallow-Trench-Isolated Structures

著者 (8件)： ORZALI T. (Imec, Leuven, BEL) ,  WANG G. (MEMC Electronic Materials, Inc., Missouri, USA) ,  WALDRON N. (Imec, Leuven, BEL) ,  MERCKLING C. (Imec, Leuven, BEL) ,  RICHARD O. (Imec, Leuven, BEL) ,  BENDER H. (Imec, Leuven, BEL) ,  WANG W.-E. (Imec, Leuven, BEL) ,  CAYMAX M. (Imec, Leuven, BEL)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 4  ページ： H455-H459  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では生産に足るMOCVD反応器で,200mmSi-CMOS準拠プロセス流を用い,Si(100)ウエハ上へサブミクロンSTI(シャロートレンチアイソレーション)構造で成長させたInP層のin situエッチング過程を開発した。12nm以下のノードに対するCMOSスケーリングでは,大きな直径のSi基板へ集積するIII~V族材料のような高移動性チャネル半導体が要る。格子不整合の克服法は,標準STI構造でSiのエッチバックにより作られたトレンチ側壁の歪緩和から生じる欠陥を閉込めることである。選択的エピタキシーにより,これらのトレンチのバッファ材料として成長させたInP層表面をCMPで平坦化し,その後III~V族元素のチャネルスタック堆積を可能にする凹みを作る必要がある。数nmまでの深さの凹みの綿密な制御を可能にし,続くIII~V族元素エピタキシャル成長に良く合った清浄で平坦なInP表面を残すin situ HClエッチング過程を開発した。商用Aixtron Crius MOCVD反応器において標準SiO₂STIパターン化200mmSi(001)ウエハ上で本過程を開発した。

シソーラス用語： *アイソレーション【IC】 ,  *リン化インジウム ,  *塩酸 ,  *エッチング ,  MOCVD ,  反応器 ,  半導体 ,  *ウエハ【IC】 ,  スケーリング【計数】 ,  格子不整合 ,  溝 ,  側壁 ,  緩和現象 ,  格子欠陥 ,  エピタクシー ,  化学研磨 ,  化学機械研磨 ,  CMOS
準シソーラス用語： STI【アイソレーション】 ,  *シャロートレンチアイソレーション ,  *化学エッチング ,  *シリコンウエハ ,  トレンチ ,  歪緩和 ,  CMP【化学研磨】

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： シャロートレンチアイソレーション ,  STI ,  InP ,  HCl ,  エッチング