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J-GLOBAL ID：201202204705288811   整理番号：12A0346865

シリセンとゲルマネンの可変同調バンドギャップ

Tunable Bandgap in Silicene and Germanene

著者 (9件)： NI Zeyuan (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  LIU Qihang (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  TANG Kechao (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  ZHENG Jiaxin (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  ZHOU Jing (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  QIN Rui (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  GAO Zhengxiang (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  YU Dapeng (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  LU Jing (Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 1  ページ： 113-118  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半金属のシリセン(Si単原子層)とゲルマネン(Ge単原子層)のバンド構造とこれらを用いた電子デバイスの特性を理論的に解析した。非経験的計算から,いずれの材料も垂直電場によりバンドギャップが拡大し,ギャップ値および電子と正孔の有効質量が電場に対して線形的に増加することが分かった。二重ゲートシリセン電界効果トランジスタのシミュレーションも行い,電場誘起輸送ギャップが発生し,印加ゲート電圧による顕著なスイッチング効果が可能になることを明らかにした。

シソーラス用語： *金属薄膜 ,  *単原子層 ,  *ケイ素 ,  *ゲルマニウム ,  *バンドギャップ ,  バンド構造 ,  同調 ,  *FET【トランジスタ】 ,  数値解析 ,  計算 ,  電場効果 ,  有効質量 ,  電子 ,  正孔 ,  計算機シミュレーション ,  輸送現象 ,  電圧 ,  スイッチング
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  ゲート電圧 ,  *ゲルマネン ,  *シリセン ,  可変同調 ,  *半金属薄膜 ,  非経験的計算

分類 (3件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属結晶の電子構造  (BM02050C) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリセン ,  ゲルマネン ,  可変同調 ,  バンドギャップ