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J-GLOBAL ID：201202204710727882   整理番号：12A1337246

酸素処理金属接触を有する高性能a-In-Ga-Zn-O Schottkyダイオード

High-performance a-In-Ga-Zn-O Schottky diode with oxygen-treated metal contacts

著者 (9件)： CHASIN Adrian (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  STEUDEL Soeren (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  MYNY Kris (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  NAG Manoj (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  KE Tung-huei (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  SCHOLS Sarah (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  GENOE Jan (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL) ,  GIELEN Georges (ESAT, KU Leuven, Kasteelpark Arenberg 10, 3001 Leuven, BEL) ,  HEREMANS Paul (IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BEL)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 11  ページ： 113505-113505-5  発行年： 2012年09月10日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パラジウムブロッキング接触に基づいた高性能Schottkyダイオードを,高酸素含有量の酸化インジウムガリウム亜鉛(IGZO)を堆積することにより作製した。パラジウム接触の酸素処理が,Schottkyダイオードにおける低いオフ電流を達成するのに必要であることを見出し,これを,Pd/IGZO界面における酸素含有量の増加を低い界面トラップ密度に関係付けることにより合理的に説明した。最適化IGZO膜を,自由電荷キャリア密度対サブギャップトラップの記録的に高い比により得た。この膜に関するダイオードの整流比は,2Vの順方向バイアスにおいて10³A/cm²を超える電流密度で,10⁷より高かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *Schottky障壁ダイオード ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  非晶質 ,  含有量 ,  *パラジウム ,  *接触 ,  電流 ,  キャリア捕獲 ,  最適化 ,  整流
準シソーラス用語： Schottkyダイオード ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛 ,  *酸素含有量 ,  オフ電流 ,  界面トラップ

分類 (4件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  非晶質の電子構造一般  (BM02041I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸素 ,  高性能 ,  Schottkyダイオード