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J-GLOBAL ID：201202204783152322   整理番号：12A1516019

飛程終端欠陥の分解の過程におけるGe表面の役割

Role of the Ge surface during the end of range dissolution

著者 (6件)： BONINELLI S. (CNR-IMM MATIS and Dipartimento di Fisica e Astronomia, Universita di Catania, Via S. Sofia 64, 95123 Catania, ITA) ,  IMPELLIZZERI G. (CNR-IMM MATIS and Dipartimento di Fisica e Astronomia, Universita di Catania, Via S. Sofia 64, 95123 Catania, ITA) ,  ALBERTI A. (CNR-IMM, VIII Strada 5, 95121 Catania, ITA) ,  PRIOLO F. (CNR-IMM MATIS and Dipartimento di Fisica e Astronomia, Universita di Catania, Via S. Sofia 64, 95123 Catania, ITA) ,  CRISTIANO F. (LAAS-CNRS, 7, Avenue du Colonel Roche, F-31400 Toulouse, FRA) ,  SPINELLA C. (CNR-IMM, VIII Strada 5, 95121 Catania, ITA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 16  ページ： 162103-162103-4  発行年： 2012年10月15日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Geにおける飛程終端(EOR)欠陥の構造とアニーリングによって誘導される分解の過程における表面の演じる役割を研究した結果を報告する。Geを固相エピタクシーで再成長させた後で,異なる深さにEORバンドを形成するために,二つの異なるエネルギー(30および100keV)を持つGe⁺イオンの照射によって,試料を非晶質化した。高分解能x線回折法と透過型電子顕微鏡観察から,EOR欠陥は主に小さな欠陥と〈001〉面上にある少量の転位ループによって構成されることが分かった。最も深いEOR欠陥は熱アニーリングの過程においても非常に安定で,それらが分解する過程における表面の役割を果たすことが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *イオン照射 ,  *ゲルマニウム ,  飛程 ,  *格子欠陥 ,  表面 ,  10-100keV ,  *焼なまし ,  *照射損傷 ,  固相成長 ,  エピタクシー ,  アモルファス化 ,  X線回折 ,  転位ループ ,  透過型電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  欠陥密度 ,  温度依存性
準シソーラス用語： 固相エピタキシー ,  高分解能X線回折

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 飛程 ,  終端 ,  欠陥 ,  分解 ,  過程 ,  Ge ,  役割