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J-GLOBAL ID：201202204801909533   整理番号：12A1215596

重合体への複製スタンプ用のHSQレジスト

HSQ resist for replication stamp in polymers

著者 (8件)： SALEEM M. R. (Univ. Eastern Finland, Joensuu, FIN) ,  SALEEM M. R. (National Univ. Sci. and Technol. (NUST), Islamabad, PAK) ,  STENBERG P. A. (Univ. Eastern Finland, Joensuu, FIN) ,  KHAN M. B. (National Univ. Sci. and Technol. (NUST), Islamabad, PAK) ,  KHAN Z. M. (National Univ. Sci. and Technol. (NUST), Islamabad, PAK) ,  HONKANEN S. (Univ. Eastern Finland, Joensuu, FIN) ,  HONKANEN S. (Aalto Univ., Helsinki, FIN) ,  TURUNEN J. (Univ. Eastern Finland, Joensuu, FIN)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8249  ページ： 82490G.1-82490G.7  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリカーボネート基板へのホットエンボス加工による複製を基にした,サブ波長グレーティング構造の大規模な製造方法を検討した。複製用スタンプの作製には,高解像度,バイナリ,無機物,負の電子ビームレジストである水素シルセスキオキサン(HSQ)を用いた。このプロセスは,シリコン基板上へのHSQレジスト層の蒸着,スピニング速度と時間の調節により所望とした膜厚の測定,レジスト材料の電子ビーム描画,引き続く熱処理による硬さ増大とからなる。これによって固体SiO₂類似の特性を引き出した。反応性エッチングプロセスを含めた場合と含めない場合の違いを比較した。その結果,エッチングプロセスなしの光学的グレーティングの場合,全グレーティング表面にわたりインプリンティング密度が均一で高いインプリント信頼性を持つスタンプが,熱的ナノインプリントリソグラフィー(NIL)によって得られることが実証された。また,複製されたグレーティング構造の反射スペクトルが,理論計算と一致することが示された。

シソーラス用語： *回折格子 ,  リソグラフィー ,  有機ケイ素化合物 ,  *電子線レジスト ,  エンボス加工 ,  エッチング ,  反射スペクトル ,  ポリカーボネート ,  周期構造 ,  無機質
準シソーラス用語： サブ波長構造 ,  スタンプ ,  ナノインプリントリソグラフィー ,  ホットエンボス加工 ,  水素シルセスキオキサン

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光デバイス一般  (BD06010L)

タイトルに関連する用語 (4件)： 重合体 ,  複製 ,  スタンプ ,  レジスト