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J-GLOBAL ID：201202204867616715   整理番号：12A0121734

InAs/GaAsの量子ドットにおける正孔スピンの光学的励起と反転

Optical pumping and reversal of hole spin in InAs/GaAs quantum dots

著者 (7件)： FRAS F. (Inst. des NanoSciences de Paris, UPMC Univ Paris 06, CNRS UMR 7588, 4 place Jussieu, F-75252 Paris Cedex 05, FRA) ,  EBLE B. (Inst. des NanoSciences de Paris, UPMC Univ Paris 06, CNRS UMR 7588, 4 place Jussieu, F-75252 Paris Cedex 05, FRA) ,  BERNARDOT F. (Inst. des NanoSciences de Paris, UPMC Univ Paris 06, CNRS UMR 7588, 4 place Jussieu, F-75252 Paris Cedex 05, FRA) ,  TESTELIN C. (Inst. des NanoSciences de Paris, UPMC Univ Paris 06, CNRS UMR 7588, 4 place Jussieu, F-75252 Paris Cedex 05, FRA) ,  CHAMARRO M. (Inst. des NanoSciences de Paris, UPMC Univ Paris 06, CNRS UMR 7588, 4 place Jussieu, F-75252 Paris Cedex 05, FRA) ,  MIARD A. (Lab. de Photonique et Nanostructures, CNRS, Route de Nozay, F-91460 Marcoussis, FRA) ,  LEMAITRE A. (Lab. de Photonique et Nanostructures, CNRS, Route de Nozay, F-91460 Marcoussis, FRA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 1  ページ： 012104  発行年： 2012年01月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： p型ドープされたInAs/GaAsの量子ドットにおける正孔スピンを,円偏光のパルストレインによる中間トリオン状態の発生を通して,光学的に励起した。円偏光の励起エネルギーを適当に選ぶことによって,中間トリオン状態の方位に関係なく,正孔スピンの最初の方位を光学的に制御できることが分かった。この方法によって,量子ドット内における正孔スピンの操作に関する追補的な自由度が提供されることが分かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ヒ化インジウム ,  ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *量子ドット ,  *スピン ,  *正孔 ,  励起 ,  励起子 ,  偏光 ,  光ポンピング ,  光制御
準シソーラス用語： スピン励起 ,  トリオン ,  光学的制御 ,  正孔スピン

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (7件)： InAs ,  GaAs ,  量子ドット ,  正孔スピン ,  光学 ,  励起 ,  反転