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J-GLOBAL ID：201202204983937600   整理番号：12A1603094

Cu/ZrO₂/Pt抵抗スイッチング素子の性能に及ぼす低接触電流応力処理の影響

Effect of low constant current stress treatment on the performance of the Cu/ZrO₂/Pt resistive switching device

著者 (11件)： XIE Hongwei (Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN) ,  XIE Hongwei (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Qi (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LI Yingtao (Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN) ,  LI Yingtao (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LV Hangbing (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  WANG Ming (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  ZHANG Kangwei (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LONG Shibing (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN) ,  LIU Su (Lanzhou Univ., Lanzhou, CHN) ,  LIU Ming (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sci., Beijing, CHN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 27  号： 10  ページ： 105007,1-5  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代の不揮発性メモリとして遷移金属化合物に基づく抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)が期待されている。しかし,スイッチングパラメータ(電圧など)の大きな揺らぎはRRAM素子の実用化の障害になっている。本論文では,Cu/ZrO₂/Pt素子の抵抗スイッチング性能に及ぼす電鋳前の低接触電流応力(CCS)処理の影響を調べた。CCS処理後,素子のコンダクタンスは二桁以上上昇し,ある程度の欠陥がZrO₂基質中に誘起したことを示唆した。これらの欠陥により,より良い抵抗スイッチング性能が得られた。

シソーラス用語： 不揮発性メモリ ,  *RAM【メモリ】 ,  電気抵抗 ,  *スイッチング ,  酸化ジルコニウム ,  白金電極 ,  電流
準シソーラス用語： *RRAM ,  接触電流【半導体】 ,  *抵抗スイッチング ,  銅電極

分類 (1件)： 記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (6件)： Cu ,  ZrO2 ,  Pt ,  スイッチング素子 ,  接触電流 ,  応力