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J-GLOBAL ID：201202204996924337   整理番号：12A1731421

炭素熱還元および蒸気移流によるSiO₂およびC上でのZnOナノワイヤ共成長

ZnO nanowire co-growth on SiO₂ and C by carbothermal reduction and vapour advection

著者 (10件)： VEGA N C (Universidad Nacional de Tucuman, Tucuman, ARG) ,  VEGA N C (Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas (CONICET), ARG) ,  WALLAR R (McMaster Univ., ON, CAN) ,  CARAM J (Universidad Nacional de Tucuman, Tucuman, ARG) ,  GRINBLAT G (Universidad Nacional de Tucuman, Tucuman, ARG) ,  GRINBLAT G (Consejo Nacional de Investigaciones Cientificas y Tecnicas (CONICET), ARG) ,  TIRADO M (Universidad Nacional de Tucuman, Tucuman, ARG) ,  LAPIERRE R R (McMaster Univ., ON, CAN) ,  COMEDI D (Universidad Nacional de Tucuman, Tucuman, ARG) ,  COMEDI D (McMaster Univ., ON, CAN)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 27  ページ： 275602,1-11  発行年： 2012年07月11日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au-シードアモルファスSiO₂層上での移流領域での炭素熱還元ならびに蒸気輸送およびデポジション(VTD)によるZnOナノワイヤの成長を報告し議論した。VTDソース-基体距離を増大させることによって,ナノワイヤ平均直径および長さを1オーダーの大きさ低減させることができ,興味深いセンサー応用を有する相互結合ナノワイヤ上での複雑な多孔性ネットワークから良く分離されたナノワイヤへの円滑な遷移が示された。付随して,欠陥関連ナノワイヤ光ルミネセンス(PL)が低減され,励起子UV発光が劇的に改善された。さらに,異なるナノワイヤ密度,形態および表面配向の領域あるいはパッチが観測され,黒鉛ソースから生じるCフレークであることがわかったこれらの領域は,同様の成長条件下でこれまで報告されていなかった。Au-シードSiO₂基体およびCフレーク上での組成,界面,結晶構造および成長パターンの詳細な分析をおこなった。これらの結果は,電界放出応用のためのC電極上でのZnOナノワイヤ成長に対して関連する一方で,Cパッチの可能なソースが確認され,その発生を好都合に制御あるいは避けることができた。

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *炭素 ,  *還元 ,  *熱化学反応 ,  *ナノワイヤ ,  *結晶成長 ,  移流 ,  光ルミネセンス ,  結晶構造 ,  電界放出 ,  フレーク ,  *二酸化ケイ素
準シソーラス用語： *シリカ ,  *炭素熱還元 ,  非晶質シリカ

分類 (1件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 炭素熱還元 ,  蒸気 ,  移流 ,  SiO2 ,  ZnOナノワイヤ ,  成長