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J-GLOBAL ID：201202205100567596   整理番号：12A0339805

分子長,単層膜密度,及び電荷輸送 Al-AlOx/アルキルリン酸/Hg接合からの教訓

Molecular Length, Monolayer Density, and Charge Transport: Lessons from Al-AlOx/Alkyl-Phosphonate/Hg Junctions

著者 (7件)： LEVINE Igal (Weizmann Inst. of Sci., Rehovot, ISR) ,  WEBER Stephanie M. (Weizmann Inst. of Sci., Rehovot, ISR) ,  FELDMAN Yishay (Weizmann Inst. of Sci., Rehovot, ISR) ,  BENDIKOV Tatyana (Weizmann Inst. of Sci., Rehovot, ISR) ,  COHEN Hagai (Weizmann Inst. of Sci., Rehovot, ISR) ,  CAHEN David (Weizmann Inst. of Sci., Rehovot, ISR) ,  VILAN Ayelet (Weizmann Inst. of Sci., Rehovot, ISR)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 28  号： 1  ページ： 404-415  発行年： 2012年01月10日 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 基板;Al-AlOx薄膜(30nm,rms表面粗さ0.6nm)に種々の鎖長(炭素数n=8~16)のアルキルリン酸(AP)の自己集合単層(SAM)膜を成膜し,偏光解析,FTIR,接触角,X線反射,及びXPSにより構造特性評価を行い,Al-AlOx/アルキルリン酸/Hg接合の電圧-電流特性による電子輸送特性とを結んで研究した。FTIR,X線反射,及びXPSによれば,「長い」AP(n=14及び16)は「短い」AP(n=8,10,&12)より高密度のSAM膜を形成した。接合の電流はトンネル様の指数的な鎖長依存の減衰を示し,電圧ゼロの極限の1炭素当たりの減衰定数は「短い」APのSAM膜では1.34±0.004,そして「長い」APでは0.77±0.05であり,前者がより効果的な減衰を示した。一方,有限の電圧に対し「長い」APによる接合の減衰定数は電圧による変化が大きく,一方,「短い」APの接合では電圧に対しおよそ独立であった。

シソーラス用語： 薄膜 ,  アルミナ ,  密度 ,  *アルキル基 ,  *リン酸 ,  *単分子層 ,  *長さ ,  FTIR分光法 ,  X線反射 ,  X線光電子分光法 ,  指数関数 ,  減衰定数 ,  *接合
準シソーラス用語： XPS ,  *アルキル鎖 ,  *鎖長 ,  *自己集合単分子層 ,  単層膜 ,  *電荷輸送 ,  表面密度

分類 (4件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固-液界面  (CB12050B) ,  電気化学一般  (CB07010N)

タイトルに関連する用語 (8件)： 分子 ,  単層膜 ,  密度 ,  電荷輸送 ,  キル ,  リン酸 ,  Hg ,  教訓