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J-GLOBAL ID：201202205107148220   整理番号：12A1220970

SOIプラットフォーム上の垂直Cu-SiO₂-Siハイブリッド・プラズモン導波路部品の実験的実証

Experimental Demonstration of Vertical Cu-SiO₂-Si Hybrid Plasmonic Waveguide Components on an SOI Platform

著者 (3件)： ZHU Shiyang (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  LO Guo-Qiang (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore) ,  KWONG Dim-Lee (Agency for Sci., Technol. and Res., Singapore)
資料名： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Photonics Technology Letters)
巻： 24  号： 13-16  ページ： 1224-1226  発行年： 2012年07月01日 
JST資料番号： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 提案導波路と関連する受動素子であるスプリッタとリング共振器をCMOS技術で作製し,1550nmでの特性を測定し,特性を理論値と比較した。伝搬損失は0.12dB/μm,Siストリップ導波路との結合効率は86%,半径1.09μmのリング共振器の消光比は13.7dBで,水平構造の素子より優れていた。一方,スプリッタの損失が大きい欠点があった。

シソーラス用語： *光集積回路 ,  *プラズマ導波管 ,  *導波管部品 ,  SOI構造 ,  *半導体プロセス ,  CMOS構造 ,  リング共振器 ,  損失 ,  導波路 ,  消光比 ,  効率 ,  ビームスプリッタ
準シソーラス用語： *CMOSプロセス ,  ストリップ導波路 ,  結合効率 ,  伝搬損失

分類 (1件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (9件)： SOI ,  プラットフォーム ,  垂直 ,  Cu ,  SiO2 ,  Si ,  プラズモン導波路 ,  実験 ,  実証