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J-GLOBAL ID：201202205251652285   整理番号：12A0059443

Ag_2+σSe_xTe_1-xナノ結晶薄膜の低温での磁気抵抗の性質

Low temperature magnetoresistance properties of Ag_2+δ Se _x Te_1-x nanocrystalline thin films

著者 (3件)： LIU Hongmei (Inst. of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, Key Lab. of Special Functional Materials, South China Univ. ...) ,  SUN Shi (Inst. of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, Key Lab. of Special Functional Materials, South China Univ. ...) ,  QIN Donghuan (Inst. of Polymer Optoelectronic Materials and Devices, Key Lab. of Special Functional Materials, South China Univ. ...)
資料名： Materials Chemistry and Physics  (Materials Chemistry and Physics)
巻： 132  号： 1  ページ： 1-5  発行年： 2012年01月16日 
JST資料番号： E0934A  ISSN： 0254-0584  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SeとTe含量の異なるAg_2+σSe_xTe_1-x(x=0-1)のナノ結晶(NC)は,Se_xTe_1-xNCの鋳型を用いた単純な水熱工程により合成できる。棒状のSe_xTe_1-xの鋳型から,さまざまな棒状及び点状,どちらの形のNCも得られる。Ag_2+σSe_xTe_1-xNC薄膜はAgとSee_xTe_1-xとの原子比率σにより密度が決まり,σは0.1~0.3の範囲内で制御されている。Ag_2+σSe_xTe_1-xNCのMR効果はアニーリング温度とだけでなく組成に関係することが分かる。Ag_2.2Se_0.2Te_0.8NC薄膜のMRは239K,8Tで,68%に急速に増加を示し,この結果は高性能なMRセンサーや他の電子デバイスの製作へのさらなる応用に必要となる非常に有用な基本的情報であることを明らかにしている。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *磁気抵抗 ,  *ナノ結晶 ,  水熱合成 ,  薄膜 ,  密度 ,  *銀化合物 ,  *セレン化物 ,  *テルル化物 ,  ナノ構造 ,  温度依存性 ,  電子顕微鏡観察 ,  X線回折
準シソーラス用語： 組成依存性

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P)

タイトルに関連する用語 (4件)： ナノ結晶薄膜 ,  低温 ,  磁気抵抗 ,  性質