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J-GLOBAL ID：201202205329081697   整理番号：12A0562206

単一円錐状ナノポアを通る膜貫通電位並びに生じるメムリスティブおよびメムキャパシティブなイオン輸送

Transmembrane Potential across Single Conical Nanopores and Resulting Memristive and Memcapacitive Ion Transport

著者 (6件)： WANG Dengchao (Georgia State Univ., Georgia, USA) ,  KVETNY Maksim (Georgia State Univ., Georgia, USA) ,  LIU Juan (Georgia State Univ., Georgia, USA) ,  BROWN Warren (Georgia State Univ., Georgia, USA) ,  LI Yan (Georgia State Univ., Georgia, USA) ,  WANG Gangli (Georgia State Univ., Georgia, USA)
資料名： Journal of the American Chemical Society  (Journal of the American Chemical Society)
巻： 134  号： 8  ページ： 3651-3654  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： C0254A  ISSN： 0002-7863  CODEN： JACSAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単一円錐状ガラスナノポアの時間,振動数ドメインイオン電流応答を解析し,ある走査速度と電位範囲でナノポアを通るイオン輸送に静電容量に相当する履歴現象ループを見出した。10mM KCl中の種々の走査速度でオーバーレイi-V曲線を測定してクロスポイント電圧を調べた。また,電解質濃度とクロスポイント電圧とが相関性を持つことを示した。更に,輸送電荷のメモリー効果を100mM KCl中の走査で測定した。これらの結果から,ナノスケールの配置と界面によるイオン輸送に対してメモリー効果(メムリスティブおよびメムキャパシティブ)が存在することを明らかにした。メモリー効果の物理的起源は加えた電圧刺激と応答するイオン輸送間の相対的速度論に帰される。本解析はナノスケールにおける電気的二重層の構造および動力学の基礎的洞察に有用である。

シソーラス用語： *細孔 ,  *イオン輸送 ,  膜電位 ,  電気二重層 ,  電解質 ,  濃度依存性 ,  塩化カリウム ,  *生体内イオン輸送
準シソーラス用語： *ナノポア

分類 (1件)： 細胞膜の輸送  (EF04020R)

タイトルに関連する用語 (4件)： 円錐 ,  ナノポア ,  電位 ,  イオン輸送