文献

J-GLOBAL ID：201202205518479782   整理番号：12A1772788

ZnOへのKの確実なp型ドーピングへの低温水溶液ルート:成長化学,ドーピングメカニズムおよび熱的安定性

Low Temperature Aqueous Solution Route to Reliable p-Type Doping in ZnO with K: Growth Chemistry, Doping Mechanism, and Thermal Stability

著者 (9件)： TAY Chuan Beng (National Univ. Singapore, Singapore) ,  TANG Jie (National Univ. Singapore, Singapore) ,  NGUYEN Xuan Sang (Singapore-MIT Alliance, Singapore) ,  HUANG Xiao Hu (National Univ. Singapore, Singapore) ,  CHAI Jian Wei (Inst. of Materials and Res. Engineering, Singapore) ,  VENKATESAN Venky T. (National Univ. Singapore, Singapore) ,  CHUA Soo Jin (National Univ. Singapore, Singapore) ,  CHUA Soo Jin (Singapore-MIT Alliance, Singapore) ,  CHUA Soo Jin (Inst. of Materials and Res. Engineering, Singapore)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 45  ページ： 24239-24247  発行年： 2012年11月15日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Zn(OAc)₂(0.03M)/KOAc(0~0.18M)水溶液の加水分解反応(90°C)によって,カリウムを添加したZnO薄膜をサファイア基板上のZnO種層上に作成し,Hall測定,Raman分光法,走査型電子顕微鏡,X線粉末回折,X線光電子分光法,二次イオン質量分光法などでキャラクタライズした。KOAcの濃度が0.03~0.08Mで合成した試料を700°Cで30分間加熱すると,p型のZnO半導体が生成することを確かめた。半導体のホール濃度の最大値は3.2×10₁₇/cm³(K⁺:0.03M,pH:約5.5)であった。得られた結果を,合成時のZn²/K⁺比,水溶液のpHに依存する,ZnOのZnサイトを置換したK⁺量,格子間に侵入したK⁺とH⁺量の違い,およびこれらの格子欠陥の熱処理による拡散によって説明した。

シソーラス用語： 透明導電膜 ,  カリウム ,  *P型半導体 ,  *ドーピング ,  *熱安定性 ,  *水溶液 ,  加水分解 ,  キャリア密度 ,  格子間原子 ,  格子欠陥 ,  pH【水素イオン指数】 ,  *酸化亜鉛 ,  無機質製剤
準シソーラス用語： ZnO薄膜 ,  ホール濃度 ,  加水分解反応

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (2件)： 酢酸カリウム ,  酢酸亜鉛

タイトルに関連する用語 (9件)： ZnO ,  p型ドーピング ,  低温 ,  水溶液 ,  成長 ,  化学 ,  ドーピング ,  メカニズム ,  熱的安定性