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J-GLOBAL ID：201202205527914220   整理番号：12A0653154

UV光検出器用の超高速回復時間を持つ高度に垂直整列したナノワイヤアレイ

Well vertically aligned ZnO nanowire arrays with an ultra-fast recovery time for UV photodetector

著者 (6件)： ZHANG Xianghui (Huazhong Univ. of Sci. and Technol., Wuhan National Lab. for Optoelectronics, School of Physics, Coll. of ...) ,  HAN Xiangyun (Huazhong Univ. of Sci. and Technol., Wuhan National Lab. for Optoelectronics, School of Physics, Coll. of ...) ,  HAN Xiangyun (Chongqing Police Coll., 401331, Chongqing, People’s Republic of China) ,  SU Jun (Huazhong Univ. of Sci. and Technol., Wuhan National Lab. for Optoelectronics, School of Physics, Coll. of ...) ,  ZHANG Qi (Huazhong Univ. of Sci. and Technol., Wuhan National Lab. for Optoelectronics, School of Physics, Coll. of ...) ,  GAO Yihua (Huazhong Univ. of Sci. and Technol., Wuhan National Lab. for Optoelectronics, School of Physics, Coll. of ...)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 107  号： 2  ページ： 255-260  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高度に結晶化したZnOナノワイヤアレイをGaN/サファイア上に一段回化学蒸着により1000~2500Paの加工圧力の制御下で成長させ,最良に整列したアレイを1000Paで得た。光ルミネセンス研究はナノワイヤ直径の増加に伴う赤方偏移を示した。0.3mW/cm²の365nmUV照射下での最良ZnOアレイの光応答研究は0.148,0.064,0.613sの三つの定数を持つ三指数上昇と30と270msの二つの回復定数を持つ二指数減衰特性を明らかにした。ZnO/GaNヘテロ接合障壁が超高速三指数上昇と二指数減衰特性の起源となりうるであろう。Copyright 2012 Springer-Verlag Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ナノ構造 ,  *細線 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  化学蒸着 ,  窒化ガリウム ,  サファイア ,  *紫外検出器 ,  *光ルミネセンス ,  *ヘテロ接合 ,  光電流 ,  電流電圧特性 ,  赤方偏移 ,  紫外線照射
準シソーラス用語： *ナノワイヤアレイ ,  垂直整列

分類 (3件)： 測光と光検出器一般  (BD07031F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (5件)： UV光 ,  検出器 ,  回復時間 ,  垂直整列 ,  ナノワイヤアレイ