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J-GLOBAL ID：201202205551230480   整理番号：12A0993988

単一のInAsナノワイヤにおけるRashbaスピン-軌道相互作用の強い調節

Strong Tuning of Rashba Spin-Orbit Interaction in Single InAs Nanowires

著者 (2件)： LIANG Dong (Case Western Reserve Univ., Ohio, USA) ,  GAO Xuan P.A. (Case Western Reserve Univ., Ohio, USA)
資料名： Nano Letters  (Nano Letters)
巻： 12  号： 6  ページ： 3263-3267  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： W1332A  ISSN： 1530-6984  CODEN： NALEFD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ケイ素/ケイ素基板(下部電極)上のソースおよびドレイン電極間をヒ化インジウムナノワイヤで連結し(A),PMMAにより被覆後上部ゲート電極を形成した(B)。Bの上下電極間に電圧を印加してナノワイヤの電気伝導率変化を観測した。垂直磁場中のナノワイヤの磁気伝導におよぼすバイアス電圧の影響を調べた。Aに過塩素酸リチウム/ポリエチレングリコール固体電解質を被覆したFET(C)について磁気伝導率を測定した。弱い反局在化理論へのあてはめによりスピン緩和長および相互作用長を求めた。Bはナノワイヤ中の電子密度を変えずにRashbaスピン-軌道相互作用を発生でき,その強さは電場とともに増大した。Cはナノワイヤ表面に強い電場を発生し,Rashbaスピン-軌道相互作用の制御誘起に有効と結論した。

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *ナノワイヤ ,  酸化ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  電極 ,  電気伝導率 ,  依存性 ,  磁場効果 ,  過塩素酸リチウム ,  ポリエチレンオキシド ,  固体電解質 ,  FET【トランジスタ】 ,  局在状態 ,  磁気緩和 ,  *スピン-軌道相互作用
準シソーラス用語： PMMA ,  *Rashbaスピン-軌道相互作用 ,  ケイ素基板 ,  ゲート電極 ,  スピン緩和 ,  バイアス依存性 ,  ポリエチレングリコール ,  反局在

分類 (4件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  その他の無機化合物の磁性  (BM06060P) ,  分子構造と性質の実験的研究  (CB01020I)

タイトルに関連する用語 (4件)： InAs ,  ナノワイヤ ,  Rashbaスピン-軌道相互作用 ,  調節