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J-GLOBAL ID：201202205631727300   整理番号：12A0543249

急峻な電流特性のトランジスタを利用した確率共鳴

Stochastic resonance using a steep-subthreshold-swing transistor

著者 (2件)： 西口克彦 (NTT 物性科学基礎研) ,  藤原聡 (NTT 物性科学基礎研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 111  号： 426(SDM2011 159-175)  ページ： 71-76  発行年： 2012年01月31日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Subthreshold swing(S値)が小さいシリコンMOSFETを利用した確率共鳴について報告する。細線チャネルの電流特性を3つのゲートで制御することにより,寄生バイポーラ・トランジスタ効果によって電流特性のS値が小さくなる。また,バイアス電圧に依存するヒステリシス特性と組み合わせることで,確率共鳴現象の効果が改善されることが分かった。これらの特徴を利用することで,MOSFETの閾値電圧よりも小さな入力信号を検出することが可能となり,その応用としてパターン暗号・復号への利用について紹介する。(著者抄録)

シソーラス用語： *共鳴 ,  *ケイ素 ,  *MOSFET ,  *確率過程 ,  電荷 ,  *信号検出 ,  高感度 ,  LSI【IC】 ,  バイアス ,  *電流電圧特性 ,  ヒステリシス ,  ゲート【半導体】 ,  衝突イオン化 ,  電圧
準シソーラス用語： 確率共鳴 ,  ボディバイアス ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： トランジスタ ,  確率共鳴