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J-GLOBAL ID：201202205661170970   整理番号：12A1441031

架橋ハイブリッド誘電材料に基づく有機薄膜トランジスタの作製

Fabrication of Organic Thin-Film Transistors Based on Cross-Linked Hybrid Dielectric Materials

著者 (4件)： WANG Yuedan (Kyung Hee Univ., Gyeonggi, KOR) ,  KIM Yeonok (Kyung Hee Univ., Gyeonggi, KOR) ,  LEE Eunju (Kyung Hee Univ., Gyeonggi, KOR) ,  KIM Hongdoo (Kyung Hee Univ., Gyeonggi, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 9,Issue 3  ページ： 09MJ02.1-09MJ02.5  発行年： 2012年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機電界効果トランジスタアプリケーション用の架橋ハイブリッド誘電材料の合成と誘電性をここに報告する。ハイブリッド薄膜は最初メタクリレート変性チタンおよびジルコニウムアルコキシドの加水分解により作製し,さらにUV下で重合により架橋した。誘電材料膜の厚さは約25~150nmであるにもかかわらず,誘電材料は高誘電率(5.2~9)及び低リーク電流密度(10^-6~10^-7A/cm²)の良好な絶縁特性を示す。さらに,ハイブリッド薄膜は滑らかで,疎水性表面を持つ。これらの誘電材料を用いて作製したペンタセン電界効果トランジスタは,TiO₂ハイブリッド誘電材料により,0.29cm²V^-1s^-1と大きなキャリア移動度,一桁当たり0.13Vの低いサブスレッショルドスイング,オン/オフ電流比~10⁵,及び0.3Vの低閾値電圧という良好な電気性能を示す。ZrO₂ハイブリッド誘電材料で作製した有機薄膜トランジスタ(OTFT)は,~10⁴のI_on/I_off比,-0.83Vの閾値電圧,及び一桁当たり0.39Vのサブスレッショルドスイングを有し,0.21cm²V^-1s^-1のキャリア移動度を示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *誘電材料 ,  *架橋【高分子】 ,  *材料 ,  *薄膜トランジスタ ,  合成 ,  誘電性 ,  加水分解 ,  光架橋 ,  誘電率 ,  漏れ電流 ,  キャリア移動度 ,  電圧
準シソーラス用語： UV硬化 ,  *ハイブリッド材料 ,  *有機薄膜トランジスタ ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (21件)：

• 1) S. Kobayashi, T. Nishikawa, T. Takenobu, S. Mon, T. Shimoda, T. Mitani, H. Smimotani, N. Yoshimoto, S. Ogawa, and Y. Iwasa: Nat. Mater. 3 (2004) 317.
• 2) D. H. Kim, H. S. Lee, H. Yang, L. Yang, and K. Cho: Adv Funct. Mater. 18 (2008) 1363.
• 3) S. Lee, B. Koo, J. Shin, E. Lee, H. Park, and H. Kim: Appl. Phys. Lett. 88 (2006) 162109.
• 4) P. Mach, S. J. Rodriguez, R. Nortrup, P. Wiltzius, and J. A. Rogers: Appl. Phys. Lett. 78 (2001) 3592.
• 5) C. D. Sheraw, L. Zhou, J. R. Haung, D. J.Gundlach, T. N. Jackson, M. G. Kane, I. G. Hill, M. S. Hammond, J. Camp, B. K. Greening, J. Francl, and J. West: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 1088.

タイトルに関連する用語 (4件)： 架橋 ,  誘電材料 ,  有機薄膜トランジスタ ,  作製