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J-GLOBAL ID：201202205715064799   整理番号：12A0749360

垂直グラフェンベーストランジスタ

Vertical Graphene Base Transistor

著者 (8件)： MEHR Wolfgang (IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU) ,  DABROWSKI Jarek (IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU) ,  SCHEYTT J. Christoph (IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU) ,  LIPPERT Gunther (IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU) ,  XIE Ya-Hong (Univ. California, CA, USA) ,  LEMME Max C. (Royal Inst. Technol., Stockholm, SWE) ,  OSTLING Mikael (Royal Inst. Technol., Stockholm, SWE) ,  LUPINA Grzegorz (IHP GmbH, Frankfurt (Oder), DEU)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 5  ページ： 691-693  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭素系材料はディジタル電子素子やRF電子素子の性能を強化する可能性を持っている。グラフェンチャネルを持つ電界効果型トランジスタ(GFETs)の研究成果が報告されているが,GFETsはバンドギャップが無いためロジックへの適用ができない。またドレイン電流の飽和限界が無いため通常のRF増幅回路への適用に制約がある。本稿では,グラフェンをグラフェンベースを持つホットエレクトロントランジスタ(HET)用の極薄高導電性電極として使用する提案をした。シミュレーションと小信号モデルにより,これはテラヘルツ動作を可能にすることを示した。エネルギーに基づく考察から,SiGeプロセスに適合可能な特別な材料を提案した。

シソーラス用語： 炭素材 ,  *ベース【半導体】 ,  トランジスタ ,  FET【トランジスタ】 ,  バンドギャップ ,  ホットエレクトロン ,  計算機シミュレーション ,  半導体素子 ,  電流 ,  ドレイン【半導体】 ,  *グラフェン
準シソーラス用語： テラヘルツ波素子 ,  ドレイン電流 ,  *ホットエレクトロントランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (1件)： 垂直