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J-GLOBAL ID：201202205755379563   整理番号：12A1007803

m面ZnO膜におけるドメイン界面と関連した表面束縛励起子発光

Surface-bound-exciton emission associated with domain interfaces in m-plane ZnO films

著者 (6件)： KUO C. C. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering National Chiao Tung Univ., 1001 Univ. Road, Hsinchu 30050 ...) ,  LIN B. H. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering National Chiao Tung Univ., 1001 Univ. Road, Hsinchu 30050 ...) ,  YANG Song (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering National Chiao Tung Univ., 1001 Univ. Road, Hsinchu 30050 ...) ,  LIU W. R. (Div. of Scientific Res., National Synchrotron Radiation Res. Center, Hsinchu 30076, Taiwan) ,  HSIEH W. F. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering National Chiao Tung Univ., 1001 Univ. Road, Hsinchu 30050 ...) ,  HSU C.-h. (Dep. of Photonics and Inst. of Electro-Optical Engineering National Chiao Tung Univ., 1001 Univ. Road, Hsinchu 30050 ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 1  ページ： 011901-011901-5  発行年： 2012年07月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルスレーザ堆積によりm-サファイア上に成長したm面ZnO膜において,少ない(10<span style=text-decoration:overline>1</span>3)_ZnOドメインを見つけた。これは低ひずみ層として振る舞うm-ZnOマトリックスの歪み緩和を与える。種々の温度で成長させその後熱処理した試料の(10<span style=text-decoration:overline>1</span>3)_ZnO/(10<span style=text-decoration:overline>1</span>0)_ZnOのX線回折ピーク強度比と低温偏光フォトルミネッセンススペクトルとの注意深い相関によって,3.17eV付近のブロードバンド発光は(10<span style=text-decoration:overline>1</span>3)_ZnOドメインとm面ZnOマトリックスとの境界での界面欠陥捕捉励起子に起因していることが分かった。m-ZnO層の(10<span style=text-decoration:overline>1</span>3)_ZnOドメインが増えれば増えるほど強い表面束縛励起子発光させる表面境界をますます生起する。しかも(10<span style=text-decoration:overline>1</span>3)_ZnOドメインとm-ZnOマトリックスのa軸はサファイア(α-Al₂O₃)基板のc軸と整列していた。(10<span style=text-decoration:overline>1</span>3)_ZnOドメインのc軸はm-ZnOの共通a軸に対して約±59°回転していた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  半導体薄膜 ,  結晶方位 ,  *発光 ,  励起子 ,  *光ルミネセンス ,  薄膜成長 ,  レーザ蒸着 ,  パルスレーザ照射 ,  αアルミナ ,  基板 ,  マトリックス【母体】 ,  X線回折 ,  化合物半導体 ,  結晶面 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  ドメイン ,  パルスレーザ堆積 ,  束縛励起子 ,  *励起子発光

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ZnO ,  ドメイン ,  界面 ,  束縛 ,  励起子発光