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J-GLOBAL ID：201202205779471576   整理番号：12A0124448

4H-SiC上の原子層堆積Al₂O₃/窒化SiO₂積層ゲート酸化膜の電流伝導メカニズム

CURRENT CONDUCTION MECHANISMS OF ATOMIC-LAYER-DEPOSITED Al₂O₃/NITRIDED SiO₂ STACKING GATE OXIDE ON 4H-SiC

著者 (8件)： CHEONG K. Y. (Universiti Sains Malaysia, Penang, MYS) ,  LOCKMAN Z. (Universiti Sains Malaysia, Penang, MYS) ,  AZIZ A. (Universiti Sains Malaysia, Penang, MYS) ,  MOON J. H. (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM H. J. (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  BAHNG W. (Korea Electrotechnology Res. Inst., Changwon, KOR) ,  KIM N.-k. (Korea Electrotechnology Res. Inst., Changwon, KOR) ,  HASSAN Z. (Universiti Sains Malaysia, Penang, MYS)
資料名： International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics  (International Journal of Modern Physics B. Condensed Matter Physics, Statiscal Physics, Applied Physics)
巻： 24  号： 27  ページ： 5371-5378  発行年： 2010年10月30日 
JST資料番号： T0396A  ISSN： 0217-9792  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層堆積 ,  Al2O3 ,  窒化 ,  SiO2 ,  ゲート酸化膜 ,  伝導 ,  メカニズム