文献

J-GLOBAL ID：201202205787725706   整理番号：12A1567252

パルスレーザアニーリング処理に基づくエピタキシャルニッケルジゲルマナイドNiGe₂の形成に起因する金属-ゲルマニウム界面におけるFermi準位のピン止め解除

Fermi-level depinning at the metal-germanium interface by the formation of epitaxial nickel digermanide NiGe₂ using pulsed laser anneal

著者 (4件)： SHI YA LIM Phyllis (Dep. of Electrical and Computer Engineering and NUS Graduate School for Integrative Sciences & Engineering (NGS) ...) ,  ZHI CHI Dong (Inst. of Materials Res. and Engineering, A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 3 Res. Link, Singapore 117602) ,  CAI WANG Xin (Singapore Inst. of Manufacturing Technol., A*STAR (Agency for Sci., Technol. and Research), 71 Nanyang Drive ...) ,  YEO Yee-chia (Dep. of Electrical and Computer Engineering and NUS Graduate School for Integrative Sciences & Engineering (NGS) ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 17  ページ： 172103-172103-4  発行年： 2012年10月22日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャル成長させたNiGe₂/Ge(100)界面における低減した有効電子Schottky障壁高,Φ_B^n,eff,として0.37eVが得られた。この値は,NiGe/Ge(100)界面におけるΦ_B^n,effの値,0.60eV,より可成り小さい。金属とGeの間において一般的に観測されるFermi準位のピン止め効果は,NiGe₂/Ge(100)界面では低減する。この効果は,ダングリングボンド数の減少に因る界面状態密度の低下が期待されるGe(100)上におけるエピタキシャルNiGe₂の形成に帰着する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ゲルマニウム合金 ,  ニッケル含有合金 ,  金属間化合物 ,  レーザアニーリング ,  パルスレーザ照射 ,  エピタクシー ,  *ニッケル ,  金属薄膜 ,  二酸化ケイ素 ,  誘電体薄膜 ,  パターン形成 ,  フォトリソグラフィー ,  Schottky障壁 ,  高さ ,  Fermi準位 ,  ピン止め ,  界面 ,  ダングリングボンド ,  状態密度 ,  *半導体金属接合 ,  *ゲルマニウム
準シソーラス用語： パルスレーザアニーリング ,  界面状態密度 ,  障壁高さ

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (7件)： パルスレーザ ,  アニーリング処理 ,  起因 ,  ゲルマニウム ,  界面 ,  Fermi準位 ,  ピン止め