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J-GLOBAL ID：201202205850493624   整理番号：12A0430973

電子サイクロトロン共鳴電荷増殖装置のためのビーム入射の改善

Beam injection improvement for electron cyclotron resonance charge breeders

著者 (5件)： LAMY T. (Univ. Joseph Fourier Grenoble 1, CNRS/IN2P3, Inst. Polytechnique de Grenoble, Grenoble, FRA) ,  ANGOT J. (Univ. Joseph Fourier Grenoble 1, CNRS/IN2P3, Inst. Polytechnique de Grenoble, Grenoble, FRA) ,  SORTAIS P. (Univ. Joseph Fourier Grenoble 1, CNRS/IN2P3, Inst. Polytechnique de Grenoble, Grenoble, FRA) ,  THUILLIER T. (Univ. Joseph Fourier Grenoble 1, CNRS/IN2P3, Inst. Polytechnique de Grenoble, Grenoble, FRA) ,  GALATA A. (INFN, Laboratori Nazionali di Legnaro, Legnaro (Padova), ITA)
資料名： Review of Scientific Instruments  (Review of Scientific Instruments)
巻： 83  号： 2  ページ： 02A909  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： D0517A  ISSN： 0034-6748  CODEN： RSINAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子サイクロトロン共鳴(ECR)電荷増殖装置の中への,1+ビームの入射は,入射側でのその軸の上に置いた,接地した管を通して古典的に行われる。この管はECR電荷増殖装置の運転に,いろいろな不利益をもたらす。接地した管を用いない最初の実験は,マイクロ波電力のより良い利用とより良い電荷増殖効率を示す。減速管を持たない電荷増殖装置の光学アクセプタンスは,高エネルギーにおける高強度1+イオンビームの入射を可能にし,イオン源の内部の金属スパッタリングを可能にする。耐熱金属イオンビーム生成のための,この方法の使用を評価する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： サイクロトロン共鳴 ,  電子サイクロトロン波 ,  *電荷 ,  増殖 ,  装置 ,  *イオンビーム ,  入射 ,  改良 ,  管 ,  接地 ,  効率 ,  マイクロ波 ,  アクセプタンス ,  スパッタリング ,  高融点金属 ,  *ECRイオン源
準シソーラス用語： 耐熱金属

分類 (2件)： 電子ビーム,イオンビーム  (BD02030F) ,  電子源,イオン源  (BD02020U)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電子サイクロトロン共鳴 ,  電荷 ,  増殖 ,  ビーム入射