文献

J-GLOBAL ID：201202205860431490   整理番号：12A0559688

X線反射率法による多層薄膜の解析

著者 (1件)： 中沢正敏 (早稲田大)
資料名： 早稲田大学理工学術院技術部技報  (早稲田大学理工学術院統合事務・技術センター技術部技報)
号： 40  ページ： 30-34  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： L7760A  CODEN： GWDRAG  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 半導体といった分野では,薄膜を積層したデバイスが使用されるが,多層化が進むにつれて,1層の膜厚がより薄くなり,数nmに達した。この様な数nmの薄膜材料の膜厚や膜質の評価の方法として,X線反射率法(XRR:X-ray Reflectivity)が,新たな評価法として注目されている。本稿では,X線反射率法の原理について解説し,この方法を,半導体デバイスで使用されるSi熱酸化膜,高誘電率絶縁膜Ta₂O₅等の評価に適用した。この結果,Si熱酸化膜の膜厚評価では,エリプソメータによる測定と比較して,1%以内の精度で熱酸化膜の膜厚が得られたこと,更に,Si電界効果トランジスターのゲート絶縁膜で使用されるSi酸化膜の膜質評価では,この方法で得られた膜厚と膜密度を用いて,薄膜作成条件の最適化を図れることを実証した。

シソーラス用語： *計測 ,  *膜厚 ,  半導体素子 ,  酸化膜 ,  酸化タンタル ,  精度 ,  *ケイ素 ,  *熱酸化 ,  *FET【トランジスタ】 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *X線反射率法 ,  電界効果トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： X線反射率法 ,  多層薄膜 ,  解析