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J-GLOBAL ID：201202205889433432   整理番号：12A0339902

InAs表面のシステアミンを用いた官能化 バイアス付けでの酸化物相互作用の決定的役割の解明

Cysteamine-Based Functionalization of InAs Surfaces: Revealing the Critical Role of Oxide Interactions in Biasing Attachment

著者 (6件)： LOSURDO Maria (Duke Univ., North Carolina, USA) ,  LOSURDO Maria (Inst. of Inorganic Methodologies and of Plasmas, CNR, Bari, ITA) ,  WU Pae C. (Duke Univ., North Carolina, USA) ,  KIM Tong-Ho (Duke Univ., North Carolina, USA) ,  BRUNO Giovanni (Inst. of Inorganic Methodologies and of Plasmas, CNR, Bari, ITA) ,  BROWN April S. (Duke Univ., North Carolina, USA)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 28  号： 2  ページ： 1235-1245  発行年： 2012年01月17日 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V半導体のモデルとして,InAsにチオールを付着させ,付着させるためには酸化物がまず除去されなければならないという通常の仮定が誤りであることを示した。同時に起こるAs-OとIn-O還元とのIn-SとAs-S結合生成の動的相互作用を明らかにした。表面酸化物がチオール自己集合単一層の生成を阻害するのは事実であるが,自然酸化物のあるInAs表面から始まる場合はチオール化被覆層は形成可能であり,システアミン濃度が結合生成と被覆の差を究極的に決定する制限剤であることを分析により示した。システアミン濃度がこれらの過程の基礎となる相対化学速度を制御する。付着機構を系統的に解明し,酸化物がいかに有用な反応物かを示した。

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  *チオール ,  官能化 ,  バイアス ,  金属酸化物 ,  相互作用 ,  単分子層 ,  阻害 ,  付着 ,  脂肪族アミン ,  第一アミン
準シソーラス用語： 自己集合単一層

分類 (3件)： 無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  脂肪族チオール  (CF03120R) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

物質索引 (1件)： システアミン

タイトルに関連する用語 (7件)： InAs ,  システアミン ,  官能化 ,  バイアス ,  酸化物 ,  相互作用 ,  役割