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J-GLOBAL ID：201202206112478765   整理番号：12A1237980

ホウ素および窒素ドープグラフェンに関する電子特性 第一原理研究

Electronic properties of boron- and nitrogen-doped graphene: a first principles study

著者 (2件)： MUKHERJEE Sugata (S.N. Bose National Centre for Basic Sciences, Block-JD, Sector III, Salt Lake, 700097, Kolkata, IND) ,  KALONI T. P. (S.N. Bose National Centre for Basic Sciences, Block-JD, Sector III, Salt Lake, 700097, Kolkata, IND)
資料名： Journal of Nanoparticle Research  (Journal of Nanoparticle Research)
巻： 14  号： 8  ページ： 1-5  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： W1361A  ISSN： 1388-0764  CODEN： JNARFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンについて,ホウ素(B),窒素(N)によるドーピング,またはBとNとのコドーピングの効果を,密度汎関数理論で調べた。著者らの広範なバンド構造および状態密度計算は,Nドーピング(電子ドーピング)によって,グラフェンバンド構造のDirac点はFermi準位より下にシフトし,エネルギーギャップが高対称K点に現れることを示した。一方,Bドーピング(正孔ドーピング)によって,Dirac点はFermi準位より上にシフトし,ギャップが出現した。BおよびNのコドーピングで,価電子バンドと伝導バンドとの間のエネルギーギャップはFermi準位に出現し,この系は狭ギャップ半導体として振舞った。得られた結果は,入手可能な実験結果と良い一致を示した。Copyright 2012 Springer Science+Business Media B.V. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *グラファイト ,  *超薄膜 ,  ドーピング ,  ホウ素 ,  窒素 ,  *電子構造 ,  プログラムパッケージ ,  状態密度 ,  Fermi準位 ,  *バンドギャップ ,  伝導バンド ,  価電子バンド ,  局所密度汎関数法 ,  計算 ,  添加物効果 ,  グラフェン
準シソーラス用語： Dirac点 ,  LSDA【近似法】 ,  Monkhorst-Pack法 ,  QUANTUM ESPRESSO ,  コドーピング ,  第一原理計算

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホウ素 ,  窒素ドープ ,  グラフェン ,  電子 ,  第一原理 ,  研究