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J-GLOBAL ID：201202206267331027   整理番号：12A1187620

バナジウムドープLiNbO₃の構造と強磁性

Structure and ferromagnetism in vanadium-doped LiNbO₃

著者 (6件)： SHENG P. (Key Lab. of Advanced Materials (MOE), Dep. of Materials Sci. and Engineering, Tsinghua Univ., Beijing 100084 ...) ,  ZENG F. (Key Lab. of Advanced Materials (MOE), Dep. of Materials Sci. and Engineering, Tsinghua Univ., Beijing 100084 ...) ,  TANG G. S. (Key Lab. of Advanced Materials (MOE), Dep. of Materials Sci. and Engineering, Tsinghua Univ., Beijing 100084 ...) ,  PAN F. (Key Lab. of Advanced Materials (MOE), Dep. of Materials Sci. and Engineering, Tsinghua Univ., Beijing 100084 ...) ,  YAN W. S. (National Synchrotron Radiation Lab. (NSRL), Univ. of Sci. & Technol. of China, Hefei 230029, People’s Republic of China) ,  HU F. C. (National Synchrotron Radiation Lab. (NSRL), Univ. of Sci. & Technol. of China, Hefei 230029, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 3  ページ： 033913-033913-6  発行年： 2012年08月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： LiNbO₃(LN)へのドーピングとその磁性の研究は,スピントロニクスの分野で応用の可能性をもつ希釈磁性半導体を作製する新しい方法を与える可能性がある。イオンビーム注入により室温で強磁性の1~3at.%のV量をもつVドープLNを作製した。試料は,2at.%Vドーピング濃度で3.82μ_B/Vの最大原子磁気モーメントを示した。構造評価と第一原理計算から,その磁性は,Vドーパントまわりの酸素空孔から生じている可能性が最も高いことが示された。X線吸収端近傍分光は,V原子が主にLN格子のNb原子を置換し,Vは大きく歪んではいるが八面体配位をもつことを明らかにした。それはまた,酸素空孔がドープしたV原子の第3殻に存在することを示した。第一原理計算の助けを借りて,この系の電子構造を作成し,酸素空孔が磁性を変える上で重要な役割を演じていることを明らかにした。これらのO空孔は,Vドーパントの磁気モーメントを自由にし,長距離のスピン結合を増すのであろう。二つのO空孔は4μ_Bの原子磁気モーメントをもつと予測されたが,これは磁気測定の結果と一致した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リチウム化合物 ,  *ニオブ化合物 ,  *酸化物 ,  *バナジウム ,  *ドーピング ,  *結晶構造 ,  *強磁性 ,  スピントロニクス ,  磁性半導体 ,  イオン照射 ,  濃度 ,  磁気モーメント ,  計算 ,  空格子点 ,  XANES ,  八面体 ,  電子構造 ,  磁気測定 ,  曲線 ,  X線回折 ,  状態密度 ,  スピン ,  イオン注入
準シソーラス用語： X線吸収端近傍微細構造 ,  イオンビーム照射 ,  スピン結合 ,  希釈磁性半導体 ,  酸素空孔 ,  磁化曲線 ,  第一原理計算

分類 (1件)： 酸化物結晶の磁性  (BM06050E)

タイトルに関連する用語 (3件)： バナジウム ,  ドープ ,  強磁性