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J-GLOBAL ID：201202206286389664   整理番号：12A1529851

近中性電解質から電着させた極端に薄いCdSe膜の核形成と成長

Nucleation and Growth of Extremely Thin CdSe Films Electrodeposited from Near-Neutral Electrolytes

著者 (3件)： MAJIDI Hasti (Drexel Univ., Pennsylvania, USA) ,  VAN Khoa T. (Drexel Univ., Pennsylvania, USA) ,  BAXTER Jason B. (Drexel Univ., Pennsylvania, USA)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 10  ページ： D605-D610  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： FTOガラス上にCdSe薄膜を電着させ,核形成と膜の成長を調べた。クロノアンペロメトリーと電子顕微鏡観察によると,核形成サイトは三次元的に成長し,凝集してVolmer-Weber機構によって密な膜を形成する。バイアス電圧の関数として核形成と成長を調べた。二速度モデルを過渡電流に当てはめてみると,負のバイアス電圧になるほど核形成密度は大きく成長速度も大きくなる。核形成密度が大きくなると小さい厚みにおいて凝集が進み,より均一な被覆となる。この均一なCdSe被覆は薄膜太陽電池への応用において重要である。

シソーラス用語： *セレン化カドミウム ,  *薄膜成長 ,  酸化スズ ,  速度 ,  *核形成 ,  電圧依存性
準シソーラス用語： FTO【酸化物】 ,  Volmer-Weber成長 ,  核形成速度 ,  膜成長

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  電気化学反応  (CB07050F) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 中性 ,  電解質 ,  電着 ,  CdSe ,  核形成 ,  成長