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J-GLOBAL ID：201202206508922994   整理番号：12A0233336

熱反射率とエレクトロルミネッセンスイメージングを用いた光起電力素子中欠陥の特性評価

CHARACTERIZATION OF DEFECTS IN PHOTOVOLTAICS USING THERMOREFLECTANCE AND ELECTROLUMINESCENCE IMAGING

著者 (3件)： KENDIG Dustin (Univ. California, CA, USA) ,  ALERS Glenn B. (Univ. California, CA, USA) ,  SHAKOURI Ali (Univ. California, CA, USA)
資料名： Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference  (Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference)
巻： 35th Vol.3  ページ： 1733-1736  発行年： 2010年 
JST資料番号： E0756A  ISSN： 0160-8371  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： メガ画素シリコン系電荷結合素子(CCD)を用いて,サブミクロン熱イメージとエレクトロルミネッセンス(EL)イメージを同時に得ることができる新規の熱反射率イメージング方法を用いて,光起電力素子中諸欠陥をサブミクロン空間分解能で識別し,特性評価した。太陽電池中欠陥のサブミクロン熱イメージとELイメージを同時に示し。諸太陽電池パラメータの特性評価への熱反射率イメージングの使用可能性について述べた。可視波長の光を用いて,3mmのガラス中欠陥のサブミクロン空間分解能熱イメージを得た。過渡熱反射率イメージングは,10μs立上げ時間でシリコン中分岐欠陥を示した。逆バイアスでナノ秒高電圧パルスを用いて,致命的破壊前にELを有する破壊領域を発見した。5Vの低逆バイアスでEL欠陥と相関関係があるマイクロメートルサイズ欠陥を示した。

シソーラス用語： *熱反射 ,  反射率 ,  *エレクトロルミネセンス ,  *光起電素子 ,  画素 ,  *ケイ素 ,  電荷結合素子 ,  サブミクロン加工 ,  *熱画像 ,  空間分解能 ,  可視光 ,  *欠陥検査 ,  過渡応答 ,  故障解析

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 熱反射率 ,  光起電力素子 ,  欠陥 ,  特性評価