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J-GLOBAL ID：201202206571403000   整理番号：12A1234615

酸化物光電極のバンドギャップエンジニアリング:ZnO_1-xSe_xのキャラクタリゼーション

Band Gap Engineering of Oxide Photoelectrodes: Characterization of ZnO_1-xSe_x

著者 (11件)： MAYER Marie A. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  MAYER Marie A. (Univ. California, California, USA) ,  YU Kin Man (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  SPEAKS Derrick T. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  SPEAKS Derrick T. (Univ. California, California, USA) ,  DENLINGER Jonathan D. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  REICHERTZ Lothar A. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  BEEMAN Jeffrey W. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  HALLER Eugene E. (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA) ,  HALLER Eugene E. (Univ. California, California, USA) ,  WALUKIEWICZ Wladek (Lawrence Berkeley National Lab., California, USA)
資料名： Journal of Physical Chemistry C  (Journal of Physical Chemistry C)
巻： 116  号： 29  ページ： 15281-15289  発行年： 2012年07月26日 
JST資料番号： W1877A  ISSN： 1932-7447  CODEN： JPCCCK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 太陽光を利用した水素発生用光電極開発を目標に,適切なバンドギャップを有する材料としてZnO_1-xSe_xを検討した。ZnO_1-xSe_x膜をパルスレーザ蒸着によりサファイア上に成長させた。キャラクタリゼーションを,XRD,RBS,X線発光及びX線吸収分光法などにより行った。その結果,1)ZnO_1-xSe_xの伝導帯端は,自発的水分解を起させるには,約0.5V低すぎる,2)xの増加につれ,光電流開始は,純ZnOの3.3eVからZnO_0.87Se_0.13における1.8eVへと単調シフトする,3)Siダイオード上にZnO_0.97Se_0.03を成長させた予備的タンデムデバイスでは,光電流開始が負側に0.5Vシフトする,などが明らかになった。著者等のバンドギャップエンジニアリング法は,自発的太陽光水分解のための材料系を工夫するために応用可能である。

シソーラス用語： *光電極 ,  *酸化亜鉛 ,  *セレン化物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *バンドギャップ ,  伝導バンド ,  分解反応 ,  光電流 ,  レーザ蒸着 ,  バンド構造 ,  発生 ,  太陽光 ,  ダイオード ,  X線回折 ,  Rutherford散乱分光法 ,  X線分光分析 ,  発光分析 ,  X線吸収分光法 ,  赤方偏移 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： X線発光分光法 ,  水素発生 ,  水分解

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  電池一般  (YB04010O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化物 ,  光電極 ,  キャラクタリゼーション