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J-GLOBAL ID：201202206648383759   整理番号：12A0731960

自己組織化フラクタルケイ素光電極上のアノード酸化物/歪の横方向分布

Lateral Distribution of Anodic Oxides and Strain on Self-Organized Fractal Silicon Photoelectrodes

著者 (3件)： LUBLOW M. (Helmholtz-Centre Berlin for Materials and Energy, Berlin, DEU) ,  BREMSTELLER W. (Helmholtz-Centre Berlin for Materials and Energy, Berlin, DEU) ,  PETTENKOFER C. (Helmholtz-Centre Berlin for Materials and Energy, Berlin, DEU)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 5  ページ： D333-D339  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,空間分解能に着目しフラクタルエッチングSi(100)面の化学/形態状況を調べた。濃フッ化アンモニウムへの自己組織化アノード溶解により,n型Si(100)光電極上でフラクタルミクロトポロジーを調製し,シンクロトロン放射光電子分光法(SRPES)と電気化学分析により,結晶方向に沿って延びるエッチング構造の並行生成と,不均一アノード酸化物層を調べた。層厚やSi⁴⁺結合エネルギーシフトにより区別可能な2タイプのSiO₂層が表面で生成した。調査結果は光電子分光法(PEEM)を用いる空間分解能を持つ化学分析に基づく。SiO₂層のPEEK光電子生成検出により,フラクタル枝先端において各逆コントラストが得られた。不均一分布酸化物の実時間エッチング挙動評価へ,初めて電気化学分析を応用した。微細構造内約3~4nm,平面領域5~8nmの酸化物厚さを得た。酸化物除去後の構造境界における局所減衰PEEM信号観察結果を,とりあえず表面近傍域残留歪に帰属させた。この解釈は,ケイ素上フラクタル微細構造の物理化学進展の最近の開発モデルを補足した。

シソーラス用語： *光電極 ,  *電極材料 ,  *ケイ素 ,  *アノード ,  *単分子層 ,  *フラクタル ,  *酸化物 ,  *横方向 ,  *分布 ,  空間分解能 ,  エッチング ,  状態 ,  表面構造 ,  フッ化アンモニウム ,  陽極溶解 ,  位相幾何学 ,  光電子分光法 ,  分析 ,  結晶方位 ,  層厚 ,  結合エネルギー ,  *残留歪 ,  N型半導体
準シソーラス用語： アノード溶解 ,  シンクロトロン放射光電子分光法 ,  *フラクタル構造 ,  化学状態 ,  *自己組織化膜 ,  電気化学分析 ,  表面形態 ,  膜トポロジー

分類 (3件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 自己組織化 ,  フラクタル ,  ケイ素 ,  光電極 ,  アノード酸化物 ,  歪 ,  横方向 ,  分布