文献

J-GLOBAL ID：201202206662464702   整理番号：12A1642628

II-VI(II=Zn;VI=O,S,Se,Te)半導体ナノ構造の第一原理研究

A first-principles study of II-VI (II=Zn; VI=O,S,Se,Te) semiconductor nanostructures

著者 (5件)： AZPIROZ Jon M. (Euskal Herriko Unibertsitatea(UPV/EHU), Euskadi, ESP) ,  INFANTE Ivan (Euskal Herriko Unibertsitatea(UPV/EHU), Euskadi, ESP) ,  LOPEZ Xabier (Euskal Herriko Unibertsitatea(UPV/EHU), Euskadi, ESP) ,  UGALDE Jesus M. (Euskal Herriko Unibertsitatea(UPV/EHU), Euskadi, ESP) ,  DE ANGELIS Filippo (Istituto di Scienze e Tecnologie Molecolari, CNR, Perugia, ITA)
資料名： Journal of Materials Chemistry  (Journal of Materials Chemistry)
巻： 22  号： 40  ページ： 21453-21465  発行年： 2012年10月28日 
JST資料番号： W0204A  ISSN： 0959-9428  CODEN： JMACEP  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ウルツ鉱型ZnX(X=O,S,Se,Te)のナノ構造の結晶構造,電子構造,光学的性質を密度汎関数法で解析し,1.0~1.5nm量子ドットの実測値と比較した。低位励起エネルギーは実測とよく合った。量子ドットの励起バンドの広さ,発光スペクトルの精細さが時間依存密度汎関数法で計算した低位励起の電子受容準位がLUMOであることで説明できる。計算ではZn3d軌道の結合エネルギーはバルク材料の値より0.5eV低い。ZnXの可視光蛍光はナノ構造のバンドギャップにトラップ準位が入ることによるアニオン空格子の発生で理解でき,ZnOについての既報の理論/実測の関係通りである。亜鉛系ナノ材料のオプトエレクトロニック性への量子閉じ込め効果がプロトタイプのロッドとシートの計算で示唆された。

シソーラス用語： 結晶構造 ,  電子構造 ,  光学的性質 ,  オプトエレクトロニクス ,  *密度汎関数法 ,  *亜鉛化合物 ,  *カルコゲン化物 ,  ウルツ鉱型結晶 ,  *ナノ構造 ,  *量子ドット ,  励起スペクトル ,  発光スペクトル ,  蛍光 ,  LUMO ,  不純物準位 ,  結合エネルギー ,  可視光 ,  キャリア捕獲 ,  空格子点 ,  格子欠陥 ,  量子閉込め
準シソーラス用語： アクセプタ準位 ,  キャリヤトラップ ,  *時間依存密度汎関数法 ,  *半導体量子ドット

分類 (2件)： 金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Se ,  Te ,  半導体ナノ構造 ,  第一原理 ,  研究