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J-GLOBAL ID：201202206701311986   整理番号：12A0495031

X線トポグラフィの進展 エピタキシャルダイヤモンド薄膜のトポグラフィによる観察

Observation of Epitaxial Diamond Layer by Using X-ray Topography

著者 (2件)： 加藤有香子 (産業技術総合研) ,  梅沢仁 (産業技術総合研)
資料名： 日本結晶学会誌  (Journal of the Crystallographic Society of Japan)
巻： 54  号： 1  ページ： 54-58  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： G0232A  ISSN： 0369-4585  CODEN： NKEGAF  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ダイヤモンド基板にCVD法で成長させたホウ素ドーピング(約10¹⁶/cm³の濃度)のダイヤモンド膜(25μm程度の膜厚)のX線トポグラフィによる評価を示した。入射角は約0.6°でX線侵入深さ約10mの条件で,ステンレス箔により基板へのX線入射を防止した。解析例として貫通刃状転位と貫通混合転位の解析例を紹介した,Burgersベクトル,斜入射条件,即ちb=a/2<110>.t=<001>の貫通刃状転位とb=a/2<0-11>,t=<001>の貫通混合転位(45°)を紹介した。

シソーラス用語： Burgersベクトル ,  *化学蒸着 ,  蒸着膜 ,  *ダイヤモンド ,  *ドーピング ,  ホウ素 ,  *すれすれ入射 ,  膜厚 ,  *X線トポグラフィー ,  *シンクロトロン放射 ,  *転位【結晶】 ,  半導体
準シソーラス用語： 貫通刃状転位 ,  貫通混合転位

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (17件)：

• 1) 四戸 孝:東芝レビュー 59, 49 (2004).
• 2) E. O. Johnson: RCA Rev. 26, 163 (1965).
• 3) B. J. Baliga: J. Appl. Phys. 53 (1982).
• 4) A. Q. Huang: IEEE Elec. Dev. Lett. 25, 298 (2004).
• 5) S. Koizumi, M. Kamo, Y. Sato, H. Ozaki and T. Inuzuka: Appl. Phys. Lett. 71, 1065 (1997).

タイトルに関連する用語 (6件)： X線トポグラフィ ,  進展 ,  エピタキシャル ,  ダイヤモンド薄膜 ,  トポグラフィ ,  観察